您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > EPC2016C

EPC2016C 发布时间 时间:2025/4/29 15:54:50 查看 阅读:4

EPC2016C 是由 Efficient Power Conversion (EPC) 公司推出的一款基于氮化镓(GaN)技术的场效应晶体管(FET)。该器件采用增强型设计,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,适用于高频、高效能的应用场景。其封装形式为芯片级封装(CSP),有助于减少寄生电感并提升整体性能。
  作为一款高性能 GaN FET,EPC2016C 在消费电子、通信设备以及工业应用中表现出色,尤其适合需要高效率和小型化的电源管理系统。

参数

型号:EPC2016C
  类型:增强型氮化镓场效应晶体管 (eGaN FET)
  额定电压:100 V
  最大漏极电流:4.5 A
  导通电阻:9 mΩ(典型值,@Vgs=6V)
  栅极驱动电压范围:3.3 V 至 6 V
  工作温度范围:-55°C 至 +125°C
  封装形式:芯片级封装 (CSP)
  输入电容:780 pF
  输出电容:28 pF

特性

EPC2016C 的主要特性包括以下几点:
  1. 高效开关性能:由于氮化镓材料的特性,EPC2016C 能够实现比传统硅基 MOSFET 更快的开关速度,从而降低开关损耗。
  2. 低导通电阻:9 mΩ 的典型导通电阻使得器件在高电流应用中具有更低的传导损耗。
  3. 增强型设计:该器件只有在施加正向栅极驱动电压时才导通,这与耗尽型 GaN 不同,简化了电路设计。
  4. 小尺寸封装:芯片级封装有助于减小系统体积,同时降低寄生电感对高频性能的影响。
  5. 宽工作温度范围:支持从 -55°C 到 +125°C 的环境温度范围,满足多种应用场景的需求。
  6. 高可靠性:经过严格的测试和验证,确保在各种条件下的稳定运行。

应用

EPC2016C 广泛应用于以下几个领域:
  1. 开关电源(SMPS):用于 DC-DC 转换器、反激式转换器等设计,提供更高的效率和功率密度。
  2. 无线充电:支持更高频率的谐振拓扑,以提高无线充电系统的效率。
  3. 激光雷达(LiDAR):利用其快速开关能力,驱动激光二极管以实现精确测距。
  4. D类音频放大器:提供低失真和高保真的音频输出。
  5. 工业自动化:用于伺服驱动器、电机控制以及其他需要高效功率管理的场合。
  6. 消费电子产品:如便携式设备的快速充电模块等。

替代型号

EPC2015C
  EPC2020C

EPC2016C推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

EPC2016C资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

EPC2016C参数

  • 现有数量261,567现货
  • 价格1 : ¥19.48000剪切带(CT)2,500 : ¥8.90249卷带(TR)
  • 系列eGaN?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术GaNFET(氮化镓)
  • 漏源电压(Vdss)100 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)18A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)16 毫欧 @ 11A,5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 3mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)4.5 nC @ 5 V
  • Vgs(最大值)+6V,-4V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)420 pF @ 50 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)-
  • 工作温度-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装模具
  • 封装/外壳模具