时间：2025/4/28 14:17:22
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EPC1PI8N 是一款基于硅技术的高性能 N 沟道功率 MOSFET，适用于高频开关应用。该器件采用先进的制程工艺，具备低导通电阻和快速开关速度，能够有效降低功耗并提升系统效率。
其封装形式通常为小外形晶体管封装（如 SOT-23 或更小尺寸），非常适合空间受限的设计环境。这种 MOSFET 广泛用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动以及电池管理系统等应用中。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：4.7A
导通电阻（Rds(on)）：50mΩ（典型值，在 Vgs=10V 下）
栅极电荷：3.6nC（典型值）
开关速度：快速
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装类型：SOT-23
EPC1PI8N 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，确保在高电流应用中的损耗最小化。
2. 快速开关性能，适合高频应用，有助于减少磁性元件体积。
3. 高击穿电压，提供出色的可靠性和抗浪涌能力。
4. 小型封装设计，简化了 PCB 布局并节省空间。
5. 优异的热稳定性，能够在宽温度范围内保持一致性能。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足全球法规要求。
EPC1PI8N 可广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流。
2. DC-DC 转换器的核心开关元件。
3. 负载开关和保护电路。
4. 电池管理系统的充放电控制。
5. 小型电机驱动及控制。
6. 各类便携式电子设备中的高效功率转换解决方案。
AO3400A, FDMC182Z, IRF7412
