EPC16UI88N是一款高性能的功率MOSFET芯片,采用先进的制造工艺以实现更低的导通电阻和更高的效率。该器件适用于各种开关电源、电机驱动和负载切换等应用领域。其设计优化了动态性能和热特性,能够在高频率和大电流条件下稳定工作。
型号:EPC16UI88N
类型:N-Channel MOSFET
VDS(漏源极电压):80V
RDS(on)(导通电阻):3.5mΩ
ID(连续漏极电流):50A
Qg(栅极电荷):35nC
fT(截止频率):2.1MHz
封装形式:TO-247
EPC16UI88N具有低导通电阻和高电流承载能力,使其非常适合用于高效能功率转换场景。此外,其快速开关速度降低了开关损耗,从而提高了整体系统效率。
此芯片还具备良好的热稳定性,能够承受较高的结温,进一步提升了可靠性。
同时,该器件支持多种保护机制,例如过流保护和短路保护,确保在异常情况下系统的安全运行。
由于采用了改进的封装技术,EPC16UI88N拥有更佳的散热性能,使得其在高温环境下的表现依然出色。
EPC16UI88N广泛应用于工业和消费电子领域,包括但不限于以下场景:
- 开关模式电源(SMPS)
- DC-DC转换器
- 电动工具中的电机驱动
- 太阳能逆变器
- 汽车电子系统
- 负载切换和保护电路
凭借其优越的电气特性和可靠性,该器件成为许多高要求应用的理想选择。
EPC16UI89P, IRFZ44N, FDP5570