类型：增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）
　　漏源电压（VDS）：100V
　　连续漏极电流（ID）：50A
　　导通电阻（RDS(on)）：8.8mΩ
　　封装类型：8引脚芯片级封装（CSP）
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　栅极电荷（QG）：20nC
　　输入电容（Ciss）：1500pF
　　功率耗散（PD）：3.5W

EPC16UC88AB 的核心优势在于其基于氮化镓（GaN）技术的卓越性能。该器件具有非常低的导通电阻（8.8mΩ），这显著降低了导通损耗，提高了电源转换效率。此外，其高速开关特性使得在高频应用中能够实现更小的磁性元件和更高的功率密度，从而减小系统体积并提升整体性能。
　　这款晶体管采用了无引线的芯片级封装（CSP），具有较小的寄生电感和出色的热管理性能，有助于在高电流和高频率工作条件下保持稳定运行。其栅极驱动电压范围为4.5V至6V，兼容标准的MOSFET驱动电路，简化了设计和集成过程。
　　EPC16UC88AB 具有良好的热稳定性，在高温环境下仍能保持较高的性能表现。该器件还具备较低的输出电容（COSS）和反向恢复电荷（Qrr），这有助于降低开关损耗并提升动态响应能力。此外，其紧凑的封装形式和优异的电气性能使其成为高效率、高频电源转换器的理想选择。

EPC16UC88AB 广泛应用于各种高效率电源系统，如DC-DC转换器、同步整流器、无线充电系统、电机驱动器、LED照明驱动器以及电池管理系统等。由于其高频开关能力和高功率密度特性，该器件特别适用于需要高性能和紧凑设计的现代电源应用，如数据中心服务器电源、电动汽车充电系统、太阳能逆变器以及工业自动化设备中的电源模块。
　　此外，EPC16UC88AB 也可用于高频谐振变换器和软开关拓扑结构中，以进一步提高系统的能效和动态响应能力。在无线充电应用中，其高速开关特性有助于提升能量传输效率并减少发热。在LED照明系统中，该器件可用于构建高效能的恒流驱动电路，提供稳定的光源输出。

EPC2053, GaN Systems GS61004B, Transphorm TP65H035WS