类型：氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）
　　漏源电压（VDS）：100V
　　连续漏极电流（ID）：50A（在TC = 25°C时）
　　导通电阻（RDS(on)）：最大6.8mΩ
　　栅极电荷（QG）：15nC
　　输入电容（Ciss）：2000pF
　　封装类型：四方扁平无引脚封装（LC20）
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　热阻（RθJC）：0.3°C/W

EPC1064/LC20 采用先进的 eGaN 技术，具备卓越的电性能和热管理能力。其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，提高了整体系统的效率。
　　该器件具备极低的栅极电荷（QG）和输出电容（COSS），使其在高频开关应用中表现出色，从而减少了开关损耗并提高了功率密度。
　　EPC1064/LC20 的封装设计优化了散热性能，确保在高电流和高温环境下仍能稳定运行。其无引脚封装（LC20）有助于降低寄生电感，提高高频性能。
　　此外，该器件具有出色的短路耐受能力，适用于对可靠性要求较高的电源系统。它还具备增强型（常关）特性，确保在栅极驱动故障时器件处于安全关断状态，提高了系统的稳定性。
　　由于其高频能力和优异的效率表现，EPC1064/LC20 非常适合用于现代高密度电源系统，如服务器电源、电信设备、工业自动化和电池管理系统。

EPC1064/LC20 主要应用于高频电源转换器、DC-DC 转换器、同步整流器、高效电源模块、LED 照明驱动器、无线充电系统、电机驱动器和工业自动化设备等。该器件的高效率和高频性能使其成为传统硅基 MOSFET 的理想替代品，尤其适用于对功率密度和效率要求较高的现代电力电子系统。

EPC1056, EPC1062, GS61004B