类型：增强型氮化镓FET
　　漏源电压（VDS）：100V
　　连续漏极电流（ID）：20A
　　导通电阻（RDS(on)）：20mΩ
　　栅极阈值电压（Vth）：1.5V ~ 2.0V
　　输入电容（Ciss）：典型值3600pF
　　输出电容（Coss）：典型值950pF
　　反向恢复电荷（Qrr）：0C（无体二极管反向恢复）
　　工作结温范围：-40°C 至 +150°C
　　封装类型：LGA 8引脚
　　关断延迟时间（td(off)）：约10ns
　　最大工作频率：可达10MHz（取决于应用条件）
　　驱动电压推荐：5V逻辑电平输入

EPB2001LC的核心优势在于其基于氮化镓（GaN）半导体材料的物理特性所带来的卓越开关性能。与传统的硅MOSFET相比，氮化镓器件没有体二极管，因此完全消除了反向恢复电荷（Qrr），大幅降低了开关损耗，尤其是在高频硬开关或零电压/零电流切换（ZVS/ZCS）拓扑中效果显著。这一特性使得EPB2001LC非常适合用于高频率DC-DC变换器如同步降压、升压及多相VRM设计中，能够有效减少电磁干扰（EMI）并提升整体能效。此外，该器件具备极低的栅极电荷和输出电容，进一步减少了驱动损耗和输出开关损耗，使系统可在更高频率下运行而不会导致效率急剧下降。
　　该器件采用了EPC独有的芯片级封装（Chip-Scale Package, CSP）技术，即LGA（Land Grid Array）封装，极大程度地减小了封装寄生电感和电阻，从而提升了高频响应能力和热传导效率。这种封装方式允许更紧凑的PCB布局，并降低环路电感对dv/dt噪声的影响，提高了系统的稳定性和抗干扰能力。同时，EPB2001LC内置了集成驱动电路，确保了精确的栅极控制时序，并提供过温保护、欠压锁定（UVLO）等基本保护机制，增强了在恶劣工作环境下的可靠性。
　　另一个关键特性是其兼容5V逻辑输入的能力，可以直接由控制器或数字信号驱动，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计复杂度并降低成本。该器件还表现出良好的热稳定性，在高温环境下仍能维持稳定的电气性能，适合部署于工业、汽车及通信设备等对散热要求较高的应用场景。总体而言，EPB2001LC通过将高性能氮化镓FET与智能驱动集成于一体，实现了小型化、高效化和易用性的统一，代表了现代功率半导体器件的发展方向。

EPB2001LC广泛应用于对效率和功率密度要求极高的现代电力电子系统中。首先，在数据中心和服务器电源系统中，尤其是48V直接转换架构中，该器件可用于中间总线转换器（IBC）或负载点（POL）转换器，实现高效的电压降压转换，满足AI处理器、GPU和ASIC等高性能计算单元的供电需求。其次，在汽车电子领域，特别是车载激光雷达（LiDAR）系统中，EPB2001LC可用于构建高速脉冲发生器，驱动激光二极管进行纳秒级光脉冲发射，得益于其快速开关能力和低延迟特性，可显著提升测距精度和响应速度。
　　此外，该器件也适用于无线充电系统，特别是在高功率磁共振或磁感应式无线传能方案中，作为主开关元件参与谐振拓扑（如Class-E或LLC）运行，实现超过90%的能量传输效率。在电信基础设施中，EPB2001LC可用于射频包络跟踪电源（Envelope Tracking Supply），动态调节射频功放的供电电压以匹配信号包络，从而大幅提升基站能效并减少热量产生。
　　其他潜在应用还包括便携式医疗设备、无人机电源管理模块、高亮度LED驱动电路以及太阳能微型逆变器等。这些应用场景共同的特点是对空间限制严格、需要高转换效率、高频操作以及长期运行的稳定性。EPB2001LC凭借其低RDS(on)、无反向恢复损耗、高开关速度和集成化设计，成为上述高端应用中的优选器件。随着氮化镓技术的成熟和成本下降，该类器件正逐步取代传统硅基器件，推动整个电源行业向更高性能方向发展。

EPC2045
　　EPC2053
　　LMG3410R050