型号：EP6101DC-15
　　制造商：EPC (Efficient Power Conversion Corporation)
　　器件类型：增强型氮化镓场效应晶体管 (eGaN FET)
　　漏源电压（VDS）：100V
　　连续漏极电流（ID）：25A（TC = 25°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：100A
　　导通电阻（RDS(on)）：15mΩ（典型值，VGS = 5V）
　　栅源阈值电压（Vth）：1.2V（典型值）
　　输入电容（Ciss）：1.3nF
　　输出电容（Coss）：95pF
　　反向恢复电荷（Qrr）：0C（典型值，因无体二极管）
　　最大栅源电压（VGS max）：+6V / -4V
　　工作结温范围（Tj）：-40°C 至 +150°C
　　封装类型：LGA（Land Grid Array）
　　安装方式：表面贴装
　　热阻（RθJC）：0.6°C/W

EP6101DC-15的核心特性源于其基于氮化镓（GaN）材料的增强型HEMT（高电子迁移率晶体管）结构，使其在高频功率转换领域表现出远超传统硅MOSFET的性能。首先，该器件具备极低的导通电阻（RDS(on) = 15mΩ），在100V耐压等级下实现了优异的导通损耗表现，有助于提高系统效率并减少发热。其次，由于氮化镓材料的宽带隙特性，EP6101DC-15具有极快的开关速度，开关时间可达到纳秒级，支持MHz级别的开关频率运行，从而大幅减小外围无源元件（如电感和电容）的尺寸与重量，实现更高功率密度的设计。
　　另一个关键特性是其近乎理想的开关行为。传统硅MOSFET存在体二极管，反向恢复电荷（Qrr）会导致额外的开关损耗和电磁干扰（EMI）。而EP6101DC-15作为eGaN FET，不具备传统PN结体二极管，因此其反向恢复电荷几乎为零（Qrr ≈ 0C），在桥式拓扑（如半桥或全桥）中可显著降低交叉导通损耗和电压尖峰，提升系统可靠性和效率。此外，器件的输入和输出电容（Ciss和Coss）较小，进一步降低了开关过程中的驱动损耗和能量损耗。
　　EP6101DC-15采用LGA封装，这种无引线结构有效减少了封装寄生电感，尤其是在源极回路中，有助于抑制开关过程中的振铃现象，提升高频稳定性。同时，LGA封装具备良好的热传导性能，热阻仅为0.6°C/W（结到外壳），便于通过PCB散热焊盘高效导出热量，适合高功率密度应用。然而，由于氮化镓器件对栅极过压极为敏感，设计时必须确保栅源电压不超过+6V和-4V的极限值，并建议使用专用的eGaN栅极驱动器（如LMG1210、LTC7003等）以提供精确的电压控制和负关断能力。此外，推荐在布局时采用对称、短路径的PCB走线，以平衡多相或多管并联时的电流分配。

EP6101DC-15广泛应用于需要高效率、高频率和高功率密度的先进电力电子系统中。其主要应用领域包括高频DC-DC转换器，例如用于数据中心和通信设备中的48V至12V中间母线转换器（Intermediate Bus Converter, IBC），以及多相VRM（电压调节模块）设计，其中高频运行能力可显著减小磁性元件体积并提升瞬态响应性能。此外，该器件也适用于无线充电系统，特别是在高功率（如50W以上）无线电源发射端，其快速开关特性有助于实现高效的谐振拓扑（如Class-E或Class-D），提高能量传输效率并降低发热。
　　在激光雷达（LiDAR）系统中，EP6101DC-15可用于驱动高功率激光二极管，实现纳秒级的精确脉冲控制，满足自动驾驶和机器人感知系统对高分辨率和远距离探测的需求。其低输出电容和快速开关能力使得激光脉冲上升/下降时间极短，提升了测距精度和系统响应速度。另外，该器件还适用于射频包络跟踪（Envelope Tracking）电源，用于提升射频功率放大器的能效，广泛应用于5G基站和移动通信设备中。
　　D类音频放大器是另一个重要应用方向。EP6101DC-15的低RDS(on)和快速开关特性使其能够在高开关频率下工作，减少音频信号失真，提升音质表现，同时降低滤波器复杂度。此外，该器件还可用于太阳能微型逆变器、LED驱动电源、工业电机驱动和高密度AC-DC电源模块等场合，尤其适合空间受限但对性能要求严苛的应用场景。

EPC2045
　　EPC2053
　　LMG5200