EP5357LUI 时间：2025/12/25 0:42:45 阅读：13

EP5357LUI 是一款由 EPC（Efficient Power Conversion）公司推出的增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）。该器件采用先进的氮化镓半导体技术，具有优异的高频性能和更低的导通损耗，适用于高效率、高功率密度的电源转换应用。EP5357LUI 是一款增强型（常关型）晶体管，具备良好的开关特性和热稳定性，广泛应用于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统等场合。

参数

类型：增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）
　　漏源电压（VDS）：100V
　　连续漏极电流（ID）：40A
　　导通电阻（RDS(on)）：7.5mΩ（典型值）
　　栅极电荷（QG）：14nC
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：BGA（Ball Grid Array）
　　功率耗散（PD）：60W

特性

EP5357LUI 采用先进的氮化镓（GaN）材料技术，具备极低的导通电阻和快速的开关速度，使其在高频率工作条件下仍能保持优异的效率表现。该器件的增强型结构设计（常关型）使其在栅极电压为0V时处于关闭状态，从而提高了系统的安全性和稳定性。此外，该器件的封装采用先进的BGA封装形式，有助于提高热管理和空间利用率，适合高密度电源模块的设计。其低QG和QRR特性显著减少了开关损耗，使得电源转换器能够在高频下运行，从而缩小外围元件的尺寸并提高整体效率。EP5357LUI 还具备良好的热稳定性和抗短路能力，能够在恶劣的工作环境下保持可靠性。
　　在实际应用中，EP5357LUI 可以有效替代传统硅基MOSFET，特别是在需要高效率和高功率密度的场合，如服务器电源、通信电源、电动汽车充电系统、太阳能逆变器、电机驱动器等。其优异的动态性能也有助于简化驱动电路设计，提高系统集成度和整体性能。

应用

EP5357LUI 适用于多种高效率电力电子系统，包括但不限于：高性能DC-DC转换器（如48V转12V或12V转5V）、同步整流电路、负载开关电路、电池管理系统（BMS）、工业自动化电源模块、服务器和数据中心电源、无线充电系统、高频逆变器、电动汽车OBC（车载充电器）和DC快充模块等。此外，该器件也可用于需要高频率工作的射频功率放大器辅助电源、高精度传感器电源系统等新兴应用领域。