时间：2023/8/1 11:20:40
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产品型号 | EP4SGX110HF35C3N |
描述 | 集成电路FPGA 488 I/O 1152FBGA |
分类 | 集成电路(IC)，嵌入式-FPGA(现场可编程门阵列) |
制造商 | 英特尔 |
系列 | Stratix?IV GX |
打包 | 托盘 |
零件状态 | 过时的 |
电压-电源 | 0.87V?0.93V |
工作温度 | 0°C?85°C(TJ) |
包装/箱 | 1152-BBGA，FCBGA |
供应商设备包装 | 1152-FBGA(35x35) |
基本零件号 | EP4SGX110 |
EP4SGX110HF35C3N
可编程逻辑类型 | 现场可编程门阵列 |
符合欧盟RoHS | 是 |
状态 | 转移 |
最大时钟频率 | 717.0兆赫 |
JESD-30代码 | S-PBGA-B1152 |
JESD-609代码 | 1号 |
总RAM位 | 9793536 |
CLB数量 | 42240.0 |
输入数量 | 488.0 |
逻辑单元数 | 105600.0 |
输出数量 | 488.0 |
端子数 | 1152 |
最低工作温度 | 0℃ |
最高工作温度 | 85℃ |
组织 | 42240 CLBS |
峰值回流温度(℃) | 245 |
电源 | 0.9,1.2 / 3,1.5,2.5 |
资格状态 | 不合格 |
座高 | 3.6毫米 |
子类别 | 现场可编程门阵列 |
电源电压标称 | 0.9伏 |
最小供电电压 | 0.87伏 |
最大电源电压 | 0.93伏 |
安装类型 | 表面贴装 |
技术 | CMOS |
温度等级 | 其他 |
终端完成 | 锡/银/铜(Sn / Ag / Cu) |
终端表格 | 球 |
端子间距 | 1.0毫米 |
终端位置 | 底部 |
时间@峰值回流温度最大值(秒) | 40 |
长度 | 35.0毫米 |
宽度 | 35.0毫米 |
包装主体材料 | 塑料/环氧树脂 |
包装代码 | BGA |
包装等效代码 | BGA1152,34X34,40 |
包装形状 | 广场 |
包装形式 | 网格阵列 |
制造商包装说明 | 无铅，FBGA-1152 |
无铅状态/RoHS状态 | 无铅/符合RoHS |
水分敏感性水平(MSL) | 3(168小时) |
每台设备72,600至813,050等效LE
可编程电源技术，可在最大程度降低功耗的同时最大化设备性能
可编程的发射机预加重和接收机均衡电路，可补偿物理介质中与频率有关的损耗
每个设备最多16个全局时钟(GCLK)，88个区域时钟(RCLK)和132个外围时钟(PCLK)
每个通道的典型物理介质附件(PMA)功耗分别为3.125 Gbps和100 mW，6.375 Gbps时为135 mW
Stratix IV E器件的引脚排列，旨在允许将设计从Stratix III 迁移到Stratix IV E，而对PCB的影响最小
多达1,120个用户I / O引脚布置在24个模块化I / O bank中，这些模块支持广泛的单端和差分I / O标准
Stratix IV GX和GT器件中多达48个基于CDR的全双工收发器，分别支持高达8.5 Gbps和11.3 Gbps的数据速率
具有嵌入式PCIe硬IP模块的完整PCIe协议解决方案，这些模块实现PHY-MAC层，数据链路层和事务处理层功能
7,370至33,294 Kb的增强型TriMatrix存储器，由三种RAM 块大小组成，可实现真正的双端口存储器和FIFO缓冲区
具有串行器/解串器(SERDES)，动态相位对准(DPA)和soft-CDR电路的高速LVDS I / O支持，数据速率高达1.6 Gbps
支持源同步总线标准，包括SGMII，GbE，SPI-4 阶段2(POS-PHY级别4)，SFI-4.1，XSBI，UTOPIA IV，NPSI和CSIX-L1
高速数字信号处理(DSP)模块，最高可配置为9 x 9位，12 x 12位，18 x 18位和36 x 36位全精度乘法器，最高频率为600 MHz
持多达24个模块化I / O bank 上的高速外部存储器接口，包括DDR，DDR2，DDR3 SDRAM，RLDRAM II，QDR II和QDR II + SRAM
专用电路可支持流行串行协议的物理层功能，例如PCI Express(PCIe)(PIPE)Gen1和Gen2，Gbps以太网(GbE)，串行RapidIO，SONET / SDH，XAUI / HiGig，(OIF)CEI-6G ，SD / HD / 3G-SDI，光纤通道，SFI-5和Interlaken
EP4SGX110HF35C3N符号
EP4SGX110HF35C3N脚印
