时间：2025/7/16 19:11:40
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EN29F08090TI 是一种非易失性存储器芯片，属于Flash存储器类别，容量为8Mbit（1M x 8），采用CMOS技术制造。该芯片支持快速读取访问时间，适用于需要高性能存储解决方案的嵌入式系统和工业控制应用。EN29F08090TI采用48引脚TSOP封装，适用于各种工业环境下的稳定运行。
制造商: Eon Silicon Solution Inc.
容量: 8Mbit (1M x 8)
电压范围: 2.7V 至 3.6V 或 4.5V 至 5.5V
访问时间: 55ns / 70ns / 90ns 可选
封装类型: 48-TSOP
工作温度范围: -40°C 至 +85°C
接口类型: 并行（x8）
擦写周期: 100,000次
数据保持时间: 10年
EN29F08090TI具有高速读取性能，访问时间低至55ns，满足实时系统对存储器响应速度的需求。该芯片支持低功耗模式，能够在待机状态下显著降低功耗，适用于对功耗敏感的应用场景。
其采用CMOS工艺制造，具有高可靠性和抗干扰能力，适用于工业级环境。EN29F08090TI提供多种封装形式，方便用户根据具体需求选择合适的封装类型，增强设计灵活性。
此外，该芯片支持标准的异步SRAM接口，兼容多种微控制器和处理器平台，简化系统集成。其擦写寿命高达100,000次，数据保持时间长达10年，适合长期运行的嵌入式应用。
EN29F08090TI广泛应用于工业控制系统、通信设备、消费类电子产品、车载电子系统和测试测量仪器等领域。其高稳定性和宽温度范围使其成为工业自动化设备和嵌入式系统中理想的程序存储器或数据存储器解决方案。
EN29LV080B-55TI, AM29LV080B-55TE, MX29LV080ABTC-55G
