型号：EN23F2QI
　　制造商：Elmos Semiconductor SE
　　通道数：1
　　输出类型：非反相
　　峰值输出电流：2.5 A
　　电源电压（VDD1）：3.0 V ~ 5.5 V
　　输出侧电源电压（VDD2）：10 V ~ 25 V
　　隔离电压（VRMS）：5000 V RMS
　　共模瞬态抗扰度（CMTI）：150 kV/μs（典型值）
　　传播延迟：55 ns（最大值）
　　上升时间（tr）：15 ns（典型值）
　　下降时间（tf）：10 ns（典型值）
　　工作温度范围：-40°C ~ +125°C
　　封装类型：SOIC-8（宽体）
　　安全认证：UL 1577、DIN V VDE 0884-10 认证

EN23F2QI 具备多项关键特性，使其在高性能功率驱动应用中表现出色。首先，其采用的双电容隔离结构提供了卓越的电气隔离性能，能够在高电压差环境下保持信号完整性，并有效防止地环路干扰和高压冲击对控制侧电路的影响。这种隔离机制不仅提高了系统的安全性，还增强了整体抗噪能力，特别适用于存在强烈电磁干扰的工业环境。
　　其次，该器件具有极高的共模瞬态抗扰度（CMTI），典型值达到 150 kV/μs，这意味着即使在快速电压变化的条件下，也能保证信号的准确传输，避免误触发或逻辑翻转，从而提升系统稳定性。对于使用 SiC 或 GaN 等宽禁带半导体器件的高频开关应用而言，这一点尤为重要。
　　再者，EN23F2QI 拥有非常低的传播延迟（最大 55 ns）和优异的上升/下降时间（分别为 15 ns 和 10 ns），这使得它能够支持高达数百 kHz 甚至 MHz 级别的开关频率，满足现代高效能电源转换系统对快速响应的需求。同时，其输出级设计优化了驱动能力，可提供高达 2.5 A 的峰值拉电流和灌电流，足以快速充放电功率管的栅极电容，减少开关损耗，提高能效。
　　此外，该芯片集成了多种保护功能，包括欠压锁定（UVLO）保护，确保在电源电压不足时不误驱动功率器件，防止因栅极电压不足导致的器件过热或损坏。输出级还具备短路耐受能力和热关断机制，在异常工况下自动关闭输出，保护自身及后级功率器件。
　　最后，EN23F2QI 采用符合 RoHS 标准的 SOIC-8 宽体封装，爬电距离和电气间隙满足加强绝缘要求，适用于功能安全等级较高的系统设计。其引脚布局经过优化，便于 PCB 布局布线，并支持与微控制器、DSP 或 FPGA 等数字控制器直接接口，无需额外电平转换电路。

EN23F2QI 广泛应用于需要高可靠性、高隔离性能和快速响应的功率电子系统中。在工业自动化领域，常用于伺服驱动器、变频器和PLC中的IGBT或MOSFET栅极驱动，实现对交流或直流电机的精确控制。在可再生能源系统中，如光伏逆变器和储能系统，EN23F2QI 能够驱动半桥或全桥拓扑中的功率开关，支持高效能量转换。
　　在电动汽车相关应用中，该器件可用于车载充电机（OBC）、DC-DC变换器以及电机控制器中，特别是在SiC MOSFET普及的背景下，其高CMTI和快速响应能力成为关键优势。此外，在工业电源、开关模式电源（SMPS）和UPS不间断电源中，EN23F2QI 提供稳定可靠的隔离驱动方案，保障系统在高压环境下的安全运行。
　　由于其宽温工作范围（-40°C 至 +125°C）和高可靠性，EN23F2QI 也适用于严苛环境下的户外设备和轨道交通控制系统。其符合AEC-Q100标准的版本还可用于汽车级应用，满足车规级产品的寿命和环境适应性要求。总体而言，任何需要将低压控制信号安全传递到高压功率级的场景，都是 EN23F2QI 的理想应用领域。

EPC2302
　　SI82391
　　UCC21520