时间：2025/12/24 17:34:18
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EN11-HSB1AF15是一种高压MOSFET，专为高效率功率转换应用而设计。该器件采用先进的平面工艺技术制造，具有优异的导通电阻和开关性能。EN11-HSB1AF15常用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等场合。
类型：N沟道MOSFET
工作电压：600V
最大连续漏极电流：15A
导通电阻：0.25Ω
封装类型：TO-220
工作温度范围：-55°C至150°C
输入电容：1800pF
功耗：50W
EN11-HSB1AF15具备低导通电阻和快速开关特性，使其在高频率工作条件下仍能保持较低的开关损耗。此外，该器件的热稳定性良好，能够在高温环境下稳定运行。其高雪崩能量能力和过载保护功能，使其在恶劣的工业环境中具有出色的可靠性。
该MOSFET采用TO-220封装，便于散热和安装，适用于各种高功率密度设计。其栅极驱动电压范围较宽，通常可在10V至20V之间工作，确保了良好的导通性能。EN11-HSB1AF15的封装设计也有助于减少寄生电感，从而提高整体系统的效率和稳定性。
EN11-HSB1AF15广泛应用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、不间断电源（UPS）、电机控制、负载开关以及工业自动化系统。其高压和高电流能力使其成为高可靠性电源设计的理想选择。在光伏逆变器和电动汽车充电系统中，该器件也能提供卓越的性能。
STP15NK60Z, FQA16N60C, FDPF15N60
