器件型号：EMZT6.8ET2R
　　齐纳电压（Vz）：6.8V @ 测试电流（Iz）= 5mA
　　最大齐纳阻抗（Zzt）：30Ω @ Iz = 5mA
　　额定功耗（Ptot）：200mW
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C 至 +150°C
　　反向漏电流（Ir）：≤ 1μA @ VR = 4V
　　封装类型：SOD-523（SC-79）
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　极性：单齐纳二极管
　　引脚数：2

EMZT6.8ET2R齐纳二极管具备出色的电压稳定性和温度特性，其标称齐纳电压为6.8V，在典型测试条件下表现出良好的重复性和一致性。该器件在5mA的测试电流下工作，能够提供可靠的电压参考，适用于低功耗模拟和数字系统中的稳压需求。其最大齐纳阻抗仅为30Ω，确保了在负载变化时输出电压的稳定性，有效减少电压波动对后级电路的影响。该二极管采用高纯度半导体材料制造，经过严格筛选和老化处理，保证长期使用的可靠性。
　　该器件的SOD-523小型封装不仅节省PCB空间，还具备良好的热传导性能，有助于在有限的空间内实现高效散热。尽管其额定功耗为200mW，但在实际应用中需根据环境温度和散热条件合理降额使用，以延长使用寿命并提高系统安全性。EMZT6.8ET2R具有较低的反向漏电流（在4V反向电压下不超过1μA），这使得它在待机或低功耗模式下仍能保持较高的能效表现。
　　此外，该齐纳二极管具备较强的瞬态电压抑制能力，可用于防止静电放电（ESD）或开关噪声引起的电压尖峰，保护敏感电子元件。其结构设计优化了电场分布，降低了局部热点产生的风险，提升了器件的耐久性。由于其符合AEC-Q101汽车级可靠性标准（如适用），也可用于车载电子模块中进行电压监测与保护。整体而言，EMZT6.8ET2R是一款集小型化、高稳定性与高可靠性于一体的通用型齐纳二极管，适用于多种工业、消费及通信应用场景。

EMZT6.8ET2R广泛应用于各类需要精确电压参考或过压保护的电子电路中。常见用途包括电源电压监测电路，用于微控制器或FPGA的复位信号生成，当供电电压低于设定阈值时触发复位动作，确保系统安全启动。此外，该器件也常用于模拟信号链路中的电压箝位，防止输入信号超出ADC或运算放大器的允许范围，从而避免损坏前端电路。
　　在电池供电设备中，EMZT6.8ET2R可作为低压检测节点的一部分，配合比较器实现电量指示或自动关机功能。在通信接口电路（如I2C、UART）中，该齐纳二极管可用于电平箝位，抑制总线上的电压毛刺，提升通信稳定性。同时，它也可用于偏置电路中为三极管或MOSFET提供稳定的栅极电压参考。
　　由于其小型封装特性，该器件特别适合智能手机、可穿戴设备、物联网传感器节点等空间受限的产品设计。在工业控制领域，EMZT6.8ET2R可用于PLC模块的信号调理单元，确保传感器信号在传输过程中不因电压漂移而失真。此外，在LED驱动电路中，它可以作为反馈回路的稳压元件，帮助维持恒流输出的精度。总之，该器件凭借其稳定的电气性能和紧凑的物理尺寸，成为众多电子系统中不可或缺的基础元件之一。

MMBZ5237B-7-F
　　BZT52C6V8-GS08
　　ZMM6V8
　　MCP1541T-6.8