EMZB08P03G 时间：2025/7/26 1:47:08 阅读：4

EMZB08P03G是一款由东芝（Toshiba）制造的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高效率、高功率密度的电源管理系统。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，具备低导通电阻和高电流处理能力，适用于各种电源转换应用，如DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及电池管理系统。EMZB08P03G的封装形式为SOP（小外形封装），具有良好的热管理和空间利用率，适合在紧凑型电子产品中使用。

参数

类型：功率MOSFET
　　极性：P沟道
　　漏极-源极电压（Vds）：30V
　　栅极-源极电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：8A
　　导通电阻（Rds(on)）：3.0mΩ @ Vgs = 10V
　　功率耗散（Pd）：2.5W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：SOP

特性

EMZB08P03G采用了东芝先进的沟槽式MOSFET技术，显著降低了导通电阻，提高了电流处理能力，从而减少了导通损耗，提高了系统效率。该器件的Rds(on)仅为3.0mΩ，在高负载条件下仍能保持较低的功耗，有助于提高电源系统的整体性能。此外，EMZB08P03G具备良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行，适用于工业级和汽车电子应用。
　　该MOSFET的SOP封装形式不仅节省空间，还具有良好的散热性能，能够在紧凑型电路设计中提供更高的可靠性。其栅极驱动电压范围宽，支持标准逻辑电平驱动，简化了控制电路的设计。EMZB08P03G的高耐用性和稳定性使其成为高性能电源管理应用的理想选择。

应用

EMZB08P03G广泛应用于各种电源管理系统，包括DC-DC转换器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统以及电源分配系统。在消费类电子产品中，它可用于高性能笔记本电脑、平板电脑和智能手机的电源管理模块。在工业设备中，该器件可用于自动化控制系统、伺服驱动器和工业电源。此外，EMZB08P03G也适用于汽车电子系统，如车载充电器、起停系统和车载DC-DC转换器，满足对高可靠性和高效能的严格要求。