EMZ6.8N TL 时间：2025/12/25 11:52:47 阅读：10

EMZ6.8N TL是一款由东海晶株式会社（TOKO Inc.）生产的表面贴装稳压二极管（齐纳二极管），其标称齐纳电压为6.8V，适用于需要稳定参考电压或过压保护的电子电路中。该器件采用小型SOD-523封装（也称为SC-79），具有体积小、响应速度快、稳定性高等特点，广泛应用于便携式电子产品、电源管理模块、信号调理电路以及各类消费类电子设备中。EMZ6.8N TL中的“EMZ”通常代表该系列齐纳二极管的产品线，“6.8”表示其标称稳压值为6.8伏特，“N”可能指极性或产品变种，“TL”则表明其为编带包装形式，适合自动化贴片生产流程。该器件在正常工作条件下可提供稳定的反向击穿电压，并具备良好的温度特性和长期电压稳定性，能够在较宽的温度范围内保持性能一致性。此外，由于其低功耗和高可靠性，EMZ6.8N TL常被用于替代传统的插件式稳压二极管，在空间受限的设计中展现出显著优势。

参数

类型：齐纳二极管
　　极性：单向
　　标称齐纳电压：6.8 V
　　容差：±5%
　　功率耗散：200 mW
　　封装：SOD-523 (SC-79)
　　工作温度范围：-55 至 150 °C
　　最大齐纳电流：30 mA
　　动态电阻：典型值 15 Ω @ 5mA
　　温度系数：+2.5 mV/°C（典型）
　　反向漏电流：< 1 μA @ 1V

特性

EMZ6.8N TL作为一款高性能的小信号齐纳二极管，具备优异的电压稳定能力和温度适应性。其核心特性之一是精确的电压容差控制，标称电压为6.8V，容差仅为±5%，这意味着实际工作时的稳压范围可维持在6.46V至7.14V之间，能够满足对参考电压精度要求较高的应用场景。该器件采用先进的半导体制造工艺，确保了批次间的一致性和长期使用的可靠性。SOD-523超小型封装不仅节省PCB空间，还支持高密度布局，特别适用于智能手机、可穿戴设备、物联网传感器节点等追求微型化的现代电子产品。
　　该齐纳二极管的最大功率耗散为200mW，可在不超过此限值的前提下安全运行。其动态阻抗较低，典型值为15Ω（测试条件为5mA电流下），有助于减小负载变化引起的输出电压波动，从而提升系统的整体稳定性。此外，EMZ6.8N TL具有良好的频率响应特性，能快速响应瞬态电压变化，因此不仅可用于直流稳压，也可在一定程度上抑制高频噪声干扰。其温度系数约为+2.5mV/°C，在整个工作温度范围内表现出较为平缓的电压漂移趋势，通过合理设计外围电路，可以进一步补偿温漂影响。
　　器件的工作结温范围从-55°C到+150°C，使其能在极端环境条件下稳定工作，无论是工业级应用还是汽车电子都能胜任。反向漏电流低于1μA（在1V反偏条件下测量），表明其在未达到击穿电压前具有极高的阻断能力，有效防止不必要的功耗和信号泄漏。综合来看，EMZ6.8N TL以其紧凑的尺寸、可靠的电气性能和广泛的适用性，成为众多电子设计工程师在实现电压钳位、电平转换、基准源构建等功能时的优选方案。

应用

EMZ6.8N TL主要用于需要精确电压参考或过压保护的低功率电子电路中。常见应用包括电源电压监控电路中的基准源、模拟前端信号调理中的电平箝位、微控制器I/O端口的静电放电（ESD）防护、电池供电设备中的欠压/过压检测模块，以及各类DC-DC转换器反馈回路中的稳压元件。由于其SOD-523小型封装特性，该器件特别适用于空间受限的高集成度印刷电路板设计，如移动通信终端、智能手表、无线传感器网络节点、蓝牙音频设备等便携式电子产品。此外，它还可用于工业控制系统的信号隔离接口、传感器偏置电路中的稳压单元，以及汽车电子中的辅助电源管理部分。在数字逻辑电平转换电路中，EMZ6.8N TL可作为上拉或下拉网络的一部分，确保信号在不同电压域之间传输时的完整性与稳定性。其快速响应能力和低漏电流特性也使其适合用作瞬态电压抑制（TVS）功能的补充保护措施，尤其在面对雷击感应或开关瞬态等轻度过冲事件时提供有效防护。总而言之，该器件凭借其高精度、小尺寸和高可靠性，广泛服务于消费电子、工业自动化、车载电子及通信基础设施等多个领域。