EMZ6.8ET2R 时间：2025/12/25 10:25:26 阅读：13

EMZ6.8ET2R是一款由东芝（Toshiba）生产的表面贴装齐纳二极管，主要用于电压参考和稳压应用。该器件采用小型SOD-523封装（也称为SC-79），具有紧凑的尺寸和优良的电气性能，适用于空间受限的便携式电子设备和高密度电路板设计。EMZ6.8ET2R的标称齐纳电压为6.8V，属于中等电压范围的齐纳二极管，能够在稳定的电压下提供可靠的反向击穿特性，适用于多种低功率稳压场景。
　　该器件在制造过程中采用了先进的半导体工艺，确保了良好的电压精度和温度稳定性。其额定功率通常为200mW左右，能够承受一定的功耗而不会发生热失效，适合在连续工作条件下使用。此外，EMZ6.8ET2R具备较低的动态阻抗，有助于维持输出电压的稳定，即使在负载电流变化的情况下也能保持较小的电压波动。
　　由于其表面贴装封装形式，EMZ6.8ET2R非常适合自动化贴片生产，广泛应用于消费类电子产品、通信设备、电源管理模块以及各种需要精密电压基准的模拟电路中。该器件符合RoHS环保要求，不含铅和其他有害物质，满足现代电子产品对环境友好型元器件的需求。

参数

型号：EMZ6.8ET2R
　　制造商：Toshiba
　　器件类型：齐纳二极管
　　封装类型：SOD-523 (SC-79)
　　标称齐纳电压：6.8V
　　测试电流 (IZT)：5mA
　　最大齐纳阻抗 (Zzt)：15Ω
　　额定功率：200mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　极性：单向齐纳二极管

特性

EMZ6.8ET2R齐纳二极管具备出色的电压稳定性和温度特性，能够在宽温度范围内保持稳定的6.8V参考电压输出。其核心特性之一是低动态阻抗，在规定的测试电流下典型值为15Ω，这使得它在面对输入电压或负载电流波动时仍能有效抑制电压变化，提供较为平滑的稳压效果。这种低阻抗特性尤其适用于需要高精度电压参考的应用，如ADC/DAC偏置电路、传感器信号调理电路等。
　　该器件的SOD-523封装不仅体积小巧（约1.6mm × 1.2mm × 0.65mm），而且具有良好的散热性能，能够在有限的空间内实现高效的热传导，从而提升整体可靠性。由于其小尺寸特性，EMZ6.8ET2R非常适合用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备以及其他追求轻薄化设计的电子产品中。
　　EMZ6.8ET2R的电压容差控制在±5%以内，保证了批次间的一致性和系统的可重复性，降低了电路调试难度。同时，该器件在反向击穿区表现出良好的非线性特性，能够在微小电流下即进入稳压状态，支持低功耗设计。其工作结温可达+150°C，表明其具备较强的耐热能力，可在高温环境下长期稳定运行。
　　此外，该齐纳二极管具有较低的噪声水平，避免因电压波动引入额外干扰，特别适合用于音频电路或精密测量系统中的基准源。通过适当的限流电阻配合使用，EMZ6.8ET2R可以作为过压保护元件，限制后续电路的电压峰值，提高系统安全性。综合来看，该器件以其高稳定性、小尺寸和可靠性能，成为众多低压稳压与参考应用的理想选择。

应用

EMZ6.8ET2R广泛应用于各类需要稳定电压参考的电子电路中。常见用途包括电源电压监控电路，其中该齐纳二极管用作比较器的参考电压源，当主电源电压偏离设定阈值时触发保护机制。在电池供电设备中，它可以用于构建简单的稳压电路，为MCU、传感器或其他低功耗芯片提供稳定的6.8V偏置电压。
　　该器件也常用于模拟信号链路中的电平钳位和过压保护，防止前端电路因瞬态高压损坏。例如，在运算放大器输入端并联EMZ6.8ET2R，并配合限流电阻，可将输入信号幅度限制在安全范围内，避免器件饱和或击穿。
　　在数据采集系统中，EMZ6.8ET2R可作为ADC的外部参考电压源（需配合缓冲电路），提升转换精度和线性度。此外，它还可用于LED驱动电路中的电压反馈环节，帮助调节输出电流稳定性。
　　由于其小型化封装，该器件特别适用于便携式医疗设备、智能仪表、无线传感器节点和IoT终端设备。在这些应用场景中，空间和功耗都是关键设计考量因素，EMZ6.8ET2R的小尺寸和低功耗特性使其成为理想的解决方案。同时，其工业级温度范围支持在恶劣环境下的稳定运行，适用于工业控制、汽车电子辅助系统等领域。