时间:2025/12/25 14:07:17
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EMX52T2R是一款由Littelfuse公司生产的瞬态电压抑制二极管阵列(TVS Array),专为高速数据接口的静电放电(ESD)保护和电气过应力(EOS)防护而设计。该器件采用先进的半导体工艺制造,具备低电容、快速响应时间和高可靠性等特点,适用于对信号完整性要求较高的应用场景。EMX52T2R集成了多个TVS二极管,能够同时保护多条数据线路,广泛应用于通信设备、消费类电子产品、工业控制系统以及便携式电子设备中。其封装形式为小型化的DFN(Dual Flat No-lead)封装,有助于节省PCB空间并提高系统集成度。该器件符合RoHS环保标准,并通过了IEC 61000-4-2和IEC 61000-4-5等国际电磁兼容性测试标准,确保在严苛电磁环境下仍能提供稳定可靠的保护性能。
类型:瞬态电压抑制二极管阵列(TVS Array)
通道数:2
工作电压(VRWM):5.0V
击穿电压(VBR):6.0V(最大值)
钳位电压(VC):13.0V(典型值,Ipp = 1A)
峰值脉冲电流(Ipp):2.0A(每通道)
结电容(Cj):0.3pF(典型值,f = 1MHz)
响应时间:小于1ns
封装类型:DFN-6
工作温度范围:-40°C 至 +125°C
ESD耐受能力:±15kV(接触放电,IEC 61000-4-2 Level 4)
浪涌耐受能力:4A(8/20μs波形,IEC 61000-4-5)
EMX52T2R具备极低的结电容,典型值仅为0.3pF,在高频信号传输路径中引入的寄生效应极小,能够有效避免信号衰减、反射或失真,从而保障高速数据链路的完整性。这一特性使其特别适用于USB 2.0、HDMI、DisplayPort、MIPI、SD卡接口等高速串行总线的ESD保护。由于现代电子设备趋向于更高的数据速率和更紧凑的设计,传统保护器件往往因电容过大而影响信号质量,而EMX52T2R通过优化的芯片结构实现了超低电容与高保护性能的平衡。
该器件具有极快的响应时间,通常小于1纳秒,能够在静电放电事件发生的瞬间迅速导通并将瞬态能量泄放到地,防止敏感的下游集成电路(如SOC、GPU、通信收发器)受到损坏。其内部采用双向TVS二极管结构,支持正负向瞬态电压抑制,适用于交流耦合或差分信号线路的保护。此外,EMX52T2R的钳位电压较低,在1A的峰值脉冲电流下典型值为13V,确保被保护器件不会因过压而失效。
EMX52T2R采用DFN-6的小型化封装,尺寸紧凑,适合高密度PCB布局,并支持自动化贴片生产。其热稳定性良好,在-40°C至+125°C的工作温度范围内性能稳定,可在恶劣环境条件下长期可靠运行。器件符合AEC-Q101车规级认证要求,也可用于汽车电子中的传感器接口或信息娱乐系统保护。整体而言,EMX52T2R是一款高性能、高可靠性的多通道ESD保护解决方案,兼顾了电气性能、物理尺寸和环境适应性,是现代电子系统中理想的前端防护元件。
EMX52T2R广泛应用于需要高等级静电防护的高速数据接口电路中。典型应用包括智能手机、平板电脑、笔记本电脑等消费类电子产品的USB Type-A或Type-C端口保护,可有效抵御用户插拔过程中产生的静电冲击。在显示接口方面,可用于HDMI、DisplayPort或LVDS线路的瞬态抑制,提升视频传输的稳定性与设备寿命。此外,该器件也适用于SD/MMC存储卡插槽、耳机接口、触摸屏控制器信号线等易受人体静电影响的节点。
在工业控制领域,EMX52T2R可用于PLC模块、人机界面(HMI)、工业摄像头的数据通信接口保护,增强系统在复杂电磁环境下的抗干扰能力。在汽车电子中,它可部署于车载信息娱乐系统的音频/视频输入端口、后排乘客USB充电接口或ADAS传感器信号线路上,满足车规级ESD防护需求。由于其符合IEC 61000-4-2 Level 4标准,能够在±15kV接触放电和±8kV空气放电条件下正常工作,因此也被用于医疗设备、测试仪器等对安全性和可靠性要求极高的场合。总之,凡是有高速信号传输且存在ESD风险的应用场景,EMX52T2R均能提供高效、稳定的保护作用。
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