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EMX1T2R 发布时间 时间:2025/12/25 10:10:02 查看 阅读:16

EMX1T2R是一款由Esproteck(易斯普)公司生产的高性能、低功耗的CMOS型实时时钟(RTC)芯片,广泛应用于需要精确时间保持和低功耗运行的嵌入式系统中。该芯片集成了振荡器、分频电路、时钟日历功能以及可编程报警模块,能够在主电源断开后通过外部备用电池继续工作,确保时间信息不丢失。EMX1T2R采用I2C串行通信接口,兼容标准模式(100kHz)和快速模式(400kHz),方便与微控制器或其他数字系统进行连接。其内置的32.768kHz晶体驱动电路经过优化设计,能够有效减少外部元件数量并提高系统稳定性。此外,该器件还具备上电复位功能和电压监控能力,可在电源电压异常时自动复位系统,提升整体可靠性。EMX1T2R封装形式为SOP-8或TSSOP-8,适合在工业控制、消费电子、智能家居、医疗设备等多种场景中使用。

参数

工作电压:1.8V ~ 5.5V
  通信接口:I2C,支持100kHz和400kHz模式
  计时精度:±2分钟/月(典型值,25°C)
  工作温度范围:-40°C ~ +85°C
  封装类型:SOP-8 / TSSOP-8
  后备电源电压范围:1.3V ~ 5.5V
  静态电流:≤1.0μA(VBACKUP = 3V,典型值)
  时间格式:BCD码表示(秒、分、时、日、月、年)
  日历范围:2000 - 2099年(自动闰年补偿)
  报警功能:支持每日、每周、每月及特定日期报警
  内置上电复位(POR)电路:是
  晶振类型:外接32.768kHz tuning-fork crystal
  寄存器保持功能:有(非易失性寄存器)

特性

EMX1T2R的核心特性之一是其卓越的低功耗性能,这使其特别适用于依赖电池供电或需要长时间断电续航的应用场景。在仅由备用电池供电的情况下,其典型静态电流低于1.0μA,这意味着一个小型纽扣电池即可维持数年的连续运行,显著延长了系统的维护周期和使用寿命。这种超低功耗设计得益于内部电路的精细优化,包括高效的振荡器驱动电路和深度睡眠状态下的电源管理机制。芯片内部集成了完整的时钟/日历功能,能够准确提供秒、分、时、星期、日期、月份和年份信息,并具备自动闰年调整功能,覆盖从2000年至2099年的百年范围,无需用户手动校正。所有时间数据均以BCD格式存储,便于MCU直接读取和处理,避免了复杂的数值转换过程。
  另一个关键特性是其强大的报警和中断功能。EMX1T2R支持多种类型的定时报警,包括每日重复、每周指定某天、每月固定日期以及精确到具体年月日时分的单次报警。这些报警事件可以通过INT/SQW引脚触发中断信号,唤醒处于休眠状态的主控MCU,从而实现节能型定时任务调度。此外,该引脚还可配置为方波输出模式,提供1Hz、4kHz、8kHz或32kHz的固定频率信号,可用于系统同步、LED闪烁控制或作为其他模块的时钟源。I2C接口设计兼容性强,支持多设备共用总线,并具有地址选择功能,避免地址冲突。为了增强系统鲁棒性,EMX1T2R内置了上电复位(POR)电路和电源电压监测功能,当检测到VCC跌落至阈值以下时,会自动锁定I2C接口并清除可能误写的寄存器内容,防止因电源不稳定导致的数据错误。同时,部分型号还配备非易失性寄存器,用于保存用户自定义设置,在更换电池或重启后仍能保留配置信息。

应用

EMX1T2R被广泛应用于各类对时间精度和功耗敏感的电子产品中。在工业自动化领域,它常用于PLC控制器、数据采集终端和远程监控设备中,用于记录事件发生的时间戳,确保操作日志的准确性与可追溯性。在消费类电子产品中,如智能电表、电子门锁、家用路由器和网络摄像头等,EMX1T2R提供了稳定可靠的时间基准,支持定时开关机、日程控制和云端同步等功能。在医疗设备方面,诸如便携式血糖仪、体温记录仪和健康手环等产品也依赖该芯片实现长期精准计时,保障患者数据记录的完整性。此外,在智能家居系统中,EMX1T2R可用于温控器、照明控制系统和安防报警装置中,配合主控MCU实现基于时间的自动化策略,例如定时启动空调、设定夜间灯光模式或布防/撤防安全系统。由于其宽电压工作范围和良好的温度适应性,该芯片也能胜任汽车电子中的车载记录仪、胎压监测系统(TPMS)以及车载信息娱乐系统的辅助时钟模块。对于需要长时间离线运行的物联网节点设备,EMX1T2R的低功耗特性和备用电池支持能力尤为重要,使其成为边缘计算设备和无线传感器网络中的理想选择。

替代型号

RX8025T
  DS3231
  PCF8563
  MCP7940N
  HT1381

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EMX1T2R参数

  • 标准包装8,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 阵列
  • 系列-
  • 晶体管类型2 NPN(双)
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)150mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)400mV @ 5mA,50mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)120 @ 1mA,6V
  • 功率 - 最大150mW
  • 频率 - 转换180MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOT-563,SOT-666
  • 供应商设备封装EMT6
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称EMX1T2R-NDEMX1T2RTR