您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > EMX18T2R

EMX18T2R 发布时间 时间:2025/12/25 11:21:32 查看 阅读:19

EMX18T2R是一款由KEMET(现属于Yageo集团)生产的多层陶瓷芯片电容(MLCC),主要用于电子电路中的去耦、滤波、旁路和储能等应用。该器件属于X7R电介质系列,具有稳定的电气特性,适用于宽温度范围内的高性能要求场景。其封装尺寸为0603(英制),即1.6mm x 0.8mm,适合高密度贴装的印刷电路板设计。该电容器采用表面贴装技术(SMT),便于自动化生产,并具备良好的机械强度与热稳定性。
  EMX18T2R的标称电容值为18pF,额定电压为50V DC,能够承受一定的电压波动而不发生性能劣化。由于采用了X7R介质材料,其电容值在-55°C至+125°C的工作温度范围内变化不超过±15%,这使得它在温度敏感的应用中表现出色。此外,该元件符合RoHS环保标准,无铅且符合现代绿色电子制造的要求。
  KEMET作为全球领先的被动元器件制造商,其EMX系列以高可靠性和一致性著称,广泛应用于通信设备、工业控制、汽车电子、消费类电子产品以及医疗设备等领域。EMX18T2R因其小型化、高性能和高可靠性,成为许多高频模拟电路和数字电源管理电路中的首选电容之一。

参数

型号:EMX18T2R
  电容值:18pF
  容差:±0.5pF
  额定电压:50V DC
  介质材料:X7R
  温度特性:-55°C 至 +125°C,电容变化 ≤ ±15%
  封装尺寸:0603(1.6mm × 0.8mm)
  安装方式:表面贴装(SMD)
  工作温度范围:-55°C 至 +125°C
  RoHS合规:是

特性

EMX18T2R所采用的X7R陶瓷介质是一种高介电常数的稳定型材料,能够在广泛的温度区间内保持相对恒定的电容值,特别适用于对温度稳定性有较高要求的应用环境。X7R材料的非铁电性结构使其相比Y5V或Z5U等介质具有更低的电压依赖性和更小的容量漂移,从而确保了信号路径中的稳定性与可预测性。这种特性使其非常适合用于振荡器电路、射频匹配网络、滤波器以及精密模拟前端中作为补偿或调谐元件。
  该电容器的0603封装尺寸在提供足够机械强度的同时,极大节省了PCB空间,满足现代电子产品向轻薄短小发展的趋势。其端电极通常采用镍阻挡层和锡外涂层结构,增强了焊接可靠性和抗热冲击能力,同时兼容无铅回流焊工艺。在实际使用中,EMX18T2R展现出优异的耐湿性与长期稳定性,即使在高温高湿环境下也能维持性能不退化。
  另外,由于其低等效串联电阻(ESR)和适中的等效串联电感(ESL),该电容在高频去耦应用中表现良好,尤其适合用于局部电源滤波,以抑制高频噪声传播。尽管其电容值较小(仅18pF),但在高频电路中仍能有效提供瞬态电流支持并减少电压波动。此外,±0.5pF的严格容差保证了批次间的一致性,有利于提高产品良率和系统重复性,特别适合自动化测试与批量生产场景。

应用

EMX18T2R多层陶瓷电容广泛应用于需要高稳定性和小型化的电子系统中。在无线通信模块中,如Wi-Fi、蓝牙、蜂窝基站前端电路,该电容常被用于LC谐振回路、阻抗匹配网络以及带通滤波器中,帮助实现最佳信号传输效率并减少反射损耗。其稳定的温度特性和精确的容差使其成为射频电路设计中的关键元件之一。
  在高速数字系统中,例如FPGA、ASIC或微处理器的电源分配网络中,EMX18T2R可用于高频去耦,消除因开关瞬变引起的电源噪声,保障核心逻辑单元的稳定运行。虽然单个电容容量较小,但常与其他容值并联使用,构成多级滤波网络,覆盖更宽的频率响应范围。
  此外,在工业自动化设备、传感器接口电路、医疗监测仪器以及汽车电子控制单元(ECU)中,该器件也发挥着重要作用。例如,在温度传感或压力传感信号调理电路中,用作抗干扰滤波或相位补偿元件。其宽温工作能力和高可靠性满足了严苛环境下的使用需求,尤其是在汽车电子中需经受极端温度循环考验的应用场合。同时,符合RoHS标准也使其适用于出口导向型产品和环保认证项目。

替代型号

[
   "C1608X7R1H180J",
   "GRM188R71H180JA01D",
   "CL10A180JQ8NNNC",
   "DC0603X7R1H180J"
  ]

EMX18T2R推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

EMX18T2R资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

EMX18T2R参数

  • 标准包装8,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 阵列
  • 系列-
  • 晶体管类型2 NPN(双)
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)500mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)12V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)250mV @ 10mA,200mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)270 @ 10mA,2V
  • 功率 - 最大150mW
  • 频率 - 转换320MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOT-563,SOT-666
  • 供应商设备封装EMT6
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称EMX18T2R-NDEMX18T2RTR