时间：2025/9/11 1:58:16
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EMVE6R3ADA101MF55G 是东芝（Toshiba）生产的一款嵌入式NAND闪存芯片，专为工业级应用和高性能存储系统设计。这款芯片采用了先进的e-MMC（嵌入式多媒体控制器）技术，集成了NAND闪存和控制器，提供稳定的数据存储解决方案。该型号适用于需要高可靠性和持久性的应用环境，如工业设备、车载系统、通信设备和消费类电子产品。
型号: EMVE6R3ADA101MF55G
容量: 128GB
类型: e-MMC 嵌入式 NAND 闪存
接口: e-MMC 5.1 接口
工作电压: 2.7V - 3.6V
工作温度范围: -40°C 至 +85°C
封装形式: BGA
尺寸: 11.5mm x 13mm x 1.0mm
最大读取速度: 400MB/s
最大写入速度: 200MB/s
耐久性: 3,000 P/E 周期
可靠性: 误码率 < 1bit per 1KB 数据
EMVE6R3ADA101MF55G 是一款高性能、高可靠性的嵌入式NAND闪存芯片，具备多种先进的技术特性。首先，它采用了e-MMC 5.1接口标准，提供高达400MB/s的读取速度和200MB/s的写入速度，能够满足高速数据存储和访问的需求。其内置的控制器负责管理数据存储、错误校正、坏块管理以及磨损均衡，从而延长了存储寿命并提高了数据可靠性。
其次，这款芯片支持宽电压范围（2.7V - 3.6V），适用于不同的电源环境，同时具备宽工作温度范围（-40°C 至 +85°C），适用于工业级和车载应用。EMVE6R3ADA101MF55G 的封装尺寸为11.5mm x 13mm x 1.0mm，采用BGA封装方式，节省了PCB空间，适合紧凑型设计。
此外，该芯片具备较强的耐用性，支持3,000次P/E（编程/擦除）周期，确保长期使用下的稳定性。其误码率低于1bit per 1KB数据，具备较高的数据完整性。由于集成了控制器和NAND闪存，该芯片能够简化系统设计，降低开发难度，并提供一致的性能和兼容性。
EMVE6R3ADA101MF55G 主要应用于需要高性能、高可靠性和长期稳定性的嵌入式存储系统。典型的应用包括工业控制设备、自动化设备、车载信息娱乐系统（IVI）、车载记录仪、通信基站、网络设备、医疗设备、智能家电以及高端消费类电子产品。由于其具备宽温工作能力和高耐用性，特别适合在恶劣环境条件下运行的设备使用。此外，该芯片也广泛用于需要长时间连续运行的系统，如监控设备、数据采集系统和边缘计算设备。
Toshiba EMVE6R3ADA101MC55G, Samsung KLMB01HE5B0A001, SanDisk SDIN7DV4-128G, Micron MTFC8GAPALBHDI-4M WT
