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EMVE630ADA3R3ME55G 发布时间 时间:2025/12/28 16:39:17 查看 阅读:57

EMVE630ADA3R3ME55G 是东芝(Toshiba)生产的一款嵌入式NAND闪存芯片,专为工业级和高可靠性应用设计。这款芯片采用了e-MMC(嵌入式多媒体卡)接口,集成了控制器和NAND闪存,提供高效的数据存储解决方案。EMVE630ADA3R3ME55G具有3.3V电源供电,适用于多种嵌入式系统和工业设备,具备良好的耐用性和稳定性。

参数

产品型号:EMVE630ADA3R3ME55G
  制造商:Toshiba
  接口类型:e-MMC 5.1
  存储容量:32GB
  闪存类型:MLC NAND Flash
  电压范围:3.3V
  工作温度:-40°C 至 +85°C
  封装类型:BGA
  尺寸:11.5mm x 13mm x 1.0mm
  最大读取速度:约260MB/s
  最大写入速度:约190MB/s
  e-MMC版本:5.1
  可靠性:支持ECC纠错
  MTBF(平均无故障时间):约30,000小时
  耐用性:约3000 P/E周期

特性

EMVE630ADA3R3ME55G 的一大特点是其集成了控制器和MLC NAND闪存,使得存储系统更加高效和稳定。e-MMC接口简化了主控器的设计,降低了开发复杂度,并提高了数据传输效率。该芯片支持高速读写操作,最大读取速度可达约260MB/s,写入速度可达约190MB/s,适用于需要快速数据存取的应用场景。
  此外,EMVE630ADA3R3ME55G 工作温度范围为-40°C至+85°C,具备良好的环境适应能力,适合在工业、汽车电子等恶劣环境下使用。其3.3V电源供电设计也提高了功耗管理的效率。
  该芯片还具备较高的可靠性,支持ECC(错误校正码)功能,能够自动检测和纠正数据错误,确保数据完整性。MTBF(平均无故障时间)约为30,000小时,P/E周期约为3000次,表明其具备良好的耐用性。
  封装尺寸为11.5mm x 13mm x 1.0mm的BGA封装,使其适用于空间受限的嵌入式系统设计,同时保持了良好的散热性能。

应用

EMVE630ADA3R3ME55G 主要应用于工业控制设备、车载信息娱乐系统(IVI)、智能电表、医疗设备、工业自动化设备以及物联网(IoT)终端设备等需要高可靠性和高性能存储的领域。由于其具备宽温工作范围和较高的耐用性,特别适合在严苛环境下运行的嵌入式系统。
  在工业控制方面,EMVE630ADA3R3ME55G 可用于PLC(可编程逻辑控制器)、工业计算机、HMI(人机界面)设备等,确保数据在长时间运行中的稳定性和可靠性。在汽车电子应用中,如车载导航系统、行车记录仪、ADAS(高级驾驶辅助系统),该芯片可提供高速数据存储和良好的温度适应能力。
  此外,EMVE630ADA3R3ME55G 也适用于智能电表、安防监控设备、POS终端、工业相机等设备,提供稳定、高效的数据存储支持。在物联网设备中,它可作为主存储器,满足设备对数据存储容量和性能的需求。

替代型号

THGLF7G9D4GBA4R, H28M32003GMR, KMRX10011M1_B327

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EMVE630ADA3R3ME55G参数

  • 制造商United Chemi-Con (UCC)
  • 产品种类铝质电解电容器-SMD
  • 电容3.3 uF
  • 容差20 %
  • 电压额定值63 Volts
  • 工作温度范围- 40 C to + 105 C
  • 尺寸5 mm Dia. x 5.2 mm L
  • 产品Aluminum Electrolytic Capacitors
  • 封装Reel
  • 工厂包装数量1000
  • 端接类型SMD/SMT