工作频率：2GHz - 6GHz
　　输出功率：500W（连续波）
　　增益：约15dB
　　效率（PAE）：超过55%
　　供电电压：50V
　　输入阻抗：50Ω
　　输出阻抗：50Ω
　　封装类型：金属陶瓷封装（Ceramic/Metal）
　　散热方式：底板散热
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

EMV-500ADAR15MB55G 具备多项先进特性，适用于要求严苛的射频功率放大应用。其核心优势之一是基于 GaN（氮化镓）半导体技术，具备高电子迁移率和出色的热稳定性，从而在高频段实现高功率输出和高效率。该模块在2GHz至6GHz的宽带频率范围内提供稳定的性能，适用于多频段或宽频系统设计。典型输出功率为500W，增益为15dB，在连续波（CW）模式下可提供高线性度和稳定性，适合用于基站放大器、雷达发射机和测试设备中的高功率放大级。效率方面，该模块的功率附加效率（PAE）超过55%，有助于降低系统功耗和散热需求，提高整体能效。此外，EMV-500ADAR15MB55G采用高可靠性的金属陶瓷封装，具备良好的热管理和机械强度，适用于高温和高振动环境下的长期稳定运行。其底板散热设计确保在高功率运行时有效传导热量，提高模块的耐用性和稳定性。该模块还具备良好的阻抗匹配能力，输入和输出均为50Ω标准阻抗，便于与外围电路集成。EMV-500ADAR15MB55G还内置了过热保护和过流保护机制，确保在异常工作条件下的安全性。该模块广泛应用于通信基础设施（如4G/5G基站）、电子战系统、高功率放大器系统、射频测试设备和工业加热设备等高要求场景。

EMV-500ADAR15MB55G 被广泛应用于多个高功率射频系统中。在通信领域，该模块适用于4G/5G基站的高功率放大器设计，支持多频段操作，提高网络覆盖和信号质量。在测试与测量设备中，EMV-500ADAR15MB55G 用于构建高功率射频信号源，满足实验室和生产测试的高要求。在军事和航空航天领域，该模块用于雷达发射机、电子战系统和通信中继设备，提供高可靠性和高功率输出。此外，EMV-500ADAR15MB55G 还可用于工业加热、等离子体发生器和射频能量传输系统，实现高效能量转换和传输。在科研领域，该模块作为高功率射频源，支持微波加热、材料处理和等离子体实验等应用。

AMM-6C0050N50HFB, EMV-500ADAR15MB55L, GaN功率放大器模块如CGH40050、NPT1007、T1E1007DS