电容值：220 pF
　　容差：±20%
　　额定电压：400 V
　　介质材料：陶瓷（Class I，C0G或NP0特性）
　　封装尺寸：1812（4532公制）
　　工作温度范围：-55°C至+125°C
　　最大工作电压：500 VDC
　　绝缘电阻：10,000 MΩ以上
　　ESR（等效串联电阻）：低ESR设计
　　

EMV-4R0ADA221MF55G 具有多个显著特性。首先，它采用C0G（NP0）陶瓷介质，具有极低的温度系数（通常为0±30 ppm/°C），确保在宽温度范围内电容值的稳定性，适合对精度要求高的电路应用。其次，该电容器的额定电压为400V，最大工作电压可达500V，适用于高压应用场景，例如电源滤波和DC-Link电路。此外，其低ESR特性有助于减少高频下的功率损耗，提高电路效率。EMV系列还具有优异的机械强度和耐热性，能够承受焊接过程中的高温，同时在极端环境条件下保持稳定的电气性能。最后，该器件符合RoHS标准，无铅环保，适用于现代绿色电子产品的制造。
　　在可靠性方面，EMV-4R0ADA221MF55G 的设计确保了长期使用的稳定性，具备良好的抗湿性和抗老化能力。其陶瓷介质不易发生老化现象，从而避免了随时间推移而出现的电容值下降问题。此外，该电容器具有较高的绝缘电阻，确保在高阻抗电路中不会引入显著的漏电流，提高了系统的整体稳定性。

EMV-4R0ADA221MF55G 多层陶瓷电容器适用于多种高要求的电子系统。在工业控制领域，它常用于变频器、伺服驱动器和PLC模块中的滤波和去耦电路，以确保控制信号的稳定性和抗干扰能力。在汽车电子方面，该电容器可用于车载电源系统、发动机控制单元（ECU）以及LED照明驱动电路，其宽工作温度范围和高可靠性满足汽车严苛的环境要求。在消费类电子产品中，如电源适配器、充电器和音频设备，该电容器可作为输入/输出滤波电容，有效抑制高频噪声。此外，它还广泛应用于通信设备，如基站射频模块和网络交换设备，用于信号耦合和旁路电路，确保信号传输的完整性。在医疗电子设备中，EMV-4R0ADA221MF55G 也因其高稳定性和低泄漏电流特性而被采用，例如在心电图仪、监护仪等精密检测设备中。

C322C221J1G5TA7300, C0805C221J4RACTU, GRM3195C1H221JA01L