时间：2025/5/12 21:57:41
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EMT1GT2R是英飞凌(Infineon)生产的一款N沟道增强型MOSFET，该器件采用TO-252(DPAK)封装。这款功率MOSFET具有低导通电阻、快速开关速度以及高效率等特性，非常适合用于消费类电子、工业控制、电信电源和适配器等领域中的DC-DC转换器、开关电源(SMPS)以及负载开关应用。
其设计注重在高频开关条件下提供高效的性能表现，同时保持良好的热稳定性和可靠性。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
持续漏极电流：3.8A
导通电阻（典型值）：70mΩ
栅极电荷：14nC
开关速度：快速开关
工作温度范围：-55℃至150℃
EMT1GT2R是一款N沟道功率MOSFET，其主要特性如下：
1. 低导通电阻：典型值为70mΩ，这有助于降低导通损耗并提高系统效率。
2. 快速开关能力：具有低栅极电荷和输出电荷，支持高频开关应用。
3. 高电流处理能力：能够承载高达3.8A的连续漏极电流。
4. 良好的热稳定性：能够在较宽的工作温度范围内保持稳定性能。
5. 小型封装：采用TO-252(DPAK)封装，适合紧凑型设计需求。
6. 可靠性高：符合JEDEC标准，保证了器件的长期可靠性。
EMT1GT2R适用于以下应用场景：
1. 开关电源(SMPS)中的功率级开关。
2. DC-DC转换器中的同步整流或主开关。
3. 电池管理系统中的负载开关。
4. 各类消费类电子产品中的电源管理。
5. 工业设备及电信电源中的高效功率转换。
6. 电机驱动和LED驱动电路中的功率开关元件。
IRLML6402, FDN340P, BSS138
