时间：2025/7/16 20:06:19
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EMP75N03HR是一款由STMicroelectronics制造的功率MOSFET，属于高电流、低导通电阻（RDS(on)）类型。这款晶体管适用于需要高效能和高可靠性的应用场合，尤其是在电源管理和电动机控制领域具有广泛应用。
类型：N沟道
最大漏极电流（ID）：75A
最大漏-源电压（VDS）：30V
最大栅-源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：典型值为4.5mΩ @ VGS=10V
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装形式：TO-220
EMP75N03HR的主要特性包括其极低的导通电阻，这有助于降低器件在运行时的功耗并提高效率。此外，该MOSFET具备较高的电流承载能力和良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作。
其快速开关能力使其适用于高频操作，减少开关损耗，同时提升整体系统性能。EMP75N03HR还内置了过温保护和短路保护功能，增强了系统的安全性和可靠性。
由于采用了先进的Power MOSFET技术，该器件在大电流条件下仍能保持稳定的电气特性，并且能够承受瞬态过载而不损坏。这些特点使得EMP75N03HR非常适合用于高性能电源转换器、直流电机控制、电池管理系统以及汽车电子系统。
EMP75N03HR广泛应用于各种电力电子设备中，如DC/DC转换器、电机驱动器、电池充电器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器以及工业自动化控制系统等。在汽车电子方面，它可用于车载充电器、起停系统和电动助力转向系统等关键部件。
IRF7530, IPD75N3LHC
