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EMP75N03HR 发布时间 时间:2025/7/16 20:06:19 查看 阅读:11

EMP75N03HR是一款由STMicroelectronics制造的功率MOSFET,属于高电流、低导通电阻(RDS(on))类型。这款晶体管适用于需要高效能和高可靠性的应用场合,尤其是在电源管理和电动机控制领域具有广泛应用。

参数

类型:N沟道
  最大漏极电流(ID):75A
  最大漏-源电压(VDS):30V
  最大栅-源电压(VGS):±20V
  导通电阻(RDS(on)):典型值为4.5mΩ @ VGS=10V
  工作温度范围:-55°C至+175°C
  封装形式:TO-220

特性

EMP75N03HR的主要特性包括其极低的导通电阻,这有助于降低器件在运行时的功耗并提高效率。此外,该MOSFET具备较高的电流承载能力和良好的热稳定性,能够在高温环境下稳定工作。
  其快速开关能力使其适用于高频操作,减少开关损耗,同时提升整体系统性能。EMP75N03HR还内置了过温保护和短路保护功能,增强了系统的安全性和可靠性。
  由于采用了先进的Power MOSFET技术,该器件在大电流条件下仍能保持稳定的电气特性,并且能够承受瞬态过载而不损坏。这些特点使得EMP75N03HR非常适合用于高性能电源转换器、直流电机控制、电池管理系统以及汽车电子系统。

应用

EMP75N03HR广泛应用于各种电力电子设备中,如DC/DC转换器、电机驱动器、电池充电器、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器以及工业自动化控制系统等。在汽车电子方面,它可用于车载充电器、起停系统和电动助力转向系统等关键部件。

替代型号

IRF7530, IPD75N3LHC