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EMP2133-06VC06GRR 发布时间 时间:2025/12/27 8:06:22 查看 阅读:19

EMP2133-06VC06GRR是一款由Littelfuse公司生产的瞬态电压抑制(TVS)二极管阵列,专为保护敏感电子元件免受静电放电(ESD)、电气快速瞬变(EFT)和雷击感应等瞬态电压事件的损害而设计。该器件采用先进的半导体工艺制造,具有极低的电容、快速响应时间和高浪涌承受能力,适用于高速数据线路和接口的过压保护。EMP2133-06VC06GRR属于多通道ESD保护器件,常用于便携式消费类电子产品、通信设备以及工业控制系统中,以确保系统在恶劣电磁环境下的稳定运行。其封装形式为小型化的DFN(Dual Flat No-lead)封装,适合高密度PCB布局,并支持回流焊工艺,便于自动化生产。
  该器件内部集成了多个TVS二极管,能够对多条信号线同时提供双向或单向保护,具体取决于电路设计需求。EMP2133-06VC06GRR的工作温度范围宽,通常可在-40°C至+125°C的环境下可靠工作,满足工业级应用要求。此外,该器件符合RoHS环保标准,不含铅和其他有害物质,适用于绿色电子产品设计。由于其优异的电气性能和紧凑的封装尺寸,EMP2133-06VC06GRR广泛应用于USB接口、HDMI端口、音频线路、传感器接口以及其他高速差分信号路径的防护电路中。

参数

型号:EMP2133-06VC06GRR
  制造商:Littelfuse
  器件类型:TVS二极管阵列
  通道数:6
  工作电压(VRWM):6V
  击穿电压(VBR):最小6.7V,典型7V
  钳位电压(VC @ IPP):13.5V(IPP = 2A)
  峰值脉冲电流(IPP):2A(8/20μs波形)
  最大峰值脉冲功率(PPPM):300W(每通道)
  反向漏电流(IR):小于1μA(在VRWM下)
  结电容(Cj):每通道典型值3pF
  引脚数:12
  封装类型:DFN-12
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  存储温度范围:-55°C 至 +150°C
  焊接温度:260°C(最大,10秒)
  安装类型:表面贴装(SMD)

特性

EMP2133-06VC06GRR具备卓越的瞬态电压抑制能力,能够在纳秒级时间内响应ESD脉冲,有效防止瞬态高压对下游集成电路造成损坏。其低动态电阻特性确保了在高能量冲击下的稳定钳位性能,避免电压波动超出安全范围。该器件的每通道最大峰值脉冲功率可达300W,足以应对IEC 61000-4-2接触放电高达±15kV的严苛测试标准,适用于需要高抗扰度的终端设备设计。
  另一个显著特点是其极低的结电容(典型值仅为3pF),这使得EMP2133-06VC06GRR非常适合用于高速信号传输线路,如USB 2.0、HDMI、MIPI等接口,不会因寄生电容引入信号失真或带宽衰减。这对于维持数据完整性至关重要,尤其是在高频应用场景中。此外,该器件采用对称双向结构设计,可同时抑制正负方向的瞬态电压,增强了系统的整体可靠性。
  EMP2133-06VC06GRR还具有优异的热稳定性与长期耐久性,在反复遭受ESD冲击后仍能保持电气参数不变,延长了产品使用寿命。其DFN-12封装不仅节省PCB空间,而且具有良好的散热性能,有助于将瞬态能量迅速导出。该封装无引脚设计减少了寄生电感,进一步提升了高频响应能力。综合来看,这款TVS阵列为现代电子系统提供了高效、紧凑且可靠的过压保护解决方案,尤其适合对体积和性能均有严格要求的应用场景。

应用

EMP2133-06VC06GRR广泛应用于各类需要高等级ESD保护的电子设备中。典型用途包括智能手机、平板电脑和笔记本电脑中的高速接口保护,例如USB Type-A/C、HDMI、DisplayPort和耳机插孔等。这些设备经常暴露在人体接触带来的静电环境中,因此必须配备高效的瞬态抑制器件来保障内部芯片的安全。
  在通信领域,该器件可用于以太网端口、RS-485、CAN总线等工业接口的防护,抵御来自电缆耦合的瞬态干扰。此外,在汽车电子系统中,如车载信息娱乐系统和ADAS传感器接口,EMP2133-06VC06GRR也能提供必要的电磁兼容性(EMC)增强功能。
  消费类电子产品中的音频线路、触摸屏控制器信号线以及摄像头模组的MIPI接口同样受益于该器件的低电容和快速响应特性。工业控制设备、医疗仪器和智能家居网关等对可靠性要求较高的系统也常采用此类TVS阵列进行前端保护。总之,凡是有高速信号传输并面临ESD或EFT威胁的场合,EMP2133-06VC06GRR都是一种理想的选择。

替代型号

RCLAMP0524P
  SP1205-06UTG
  SM24C1UDC
  SRV05-4
  TPD2U006DCKR

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