EMP116MAAF 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件专为高效率、高频率开关应用而设计,适用于电源转换、电机控制、电池管理系统和负载开关等多种应用领域。EMP116MAAF 采用先进的制造工艺,具有低导通电阻(RDS(on))、高耐压能力和优异的热稳定性,使其在高功率密度设计中表现出色。
类型:N 沟道 MOSFET
最大漏极电流(ID):160A
漏源击穿电压(VDS):60V
栅源电压(VGS):±20V
导通电阻 RDS(on):最大 4.5mΩ @ VGS = 10V
功率耗散(PD):250W
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
封装形式:PowerFLAT 5x6
EMP116MAAF 的核心特性之一是其极低的导通电阻,通常在 4.5mΩ 以下,这显著降低了导通损耗,提高了系统效率。该器件在 10V 栅极驱动电压下可实现完全导通,适用于常见的 MOSFET 驱动电路。
EMP116MAAF 具有较高的电流承载能力,连续漏极电流可达 160A,适合高功率应用场景。其漏源击穿电压为 60V,能够承受较高的电压应力,适用于 12V、24V 和 48V 系统中的功率转换和控制。
该 MOSFET 采用 PowerFLAT 5x6 封装,具有优良的热性能和空间利用率,适用于紧凑型 PCB 设计。此外,EMP116MAAF 还具备高雪崩能量耐受能力,增强了在开关瞬态条件下的可靠性。
EMP116MAAF 的栅极电荷(Qg)较低,有助于减少开关损耗,提高高频操作下的效率。其栅源电压范围为 ±20V,兼容常见的驱动 IC 和控制器,增强了设计灵活性。
EMP116MAAF 被广泛应用于各种功率电子系统中,如同步整流、DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动器和电池管理系统。在同步整流电路中,EMP116MAAF 可替代传统二极管以提高效率,减少导通压降和热损耗。
在 DC-DC 转换器中,该器件可用于高侧或低侧开关,实现高效的电压转换。其低 RDS(on) 和高电流能力使其非常适合用于大功率电源模块。
在负载开关应用中,EMP116MAAF 可用于控制高电流负载的通断,如风扇、加热元件和大功率 LED 阵列。其快速开关特性也有助于减少启动时的电流冲击。
此外,EMP116MAAF 还适用于工业自动化设备、电动工具、电动车辆(如电动滑板车和电动自行车)的功率控制系统,提供稳定可靠的开关性能。
STP150N6F6AG, IPW90R120I3, IRFB4110, IPP116N10N3