时间：2025/9/3 22:45:01
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EMP116MAAF 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效率、高频率开关应用而设计，适用于电源转换、电机控制、电池管理系统和负载开关等多种应用领域。EMP116MAAF 采用先进的制造工艺，具有低导通电阻（RDS(on)）、高耐压能力和优异的热稳定性，使其在高功率密度设计中表现出色。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电流（ID）：160A
漏源击穿电压（VDS）：60V
栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻 RDS(on)：最大 4.5mΩ @ VGS = 10V
功率耗散（PD）：250W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：PowerFLAT 5x6
EMP116MAAF 的核心特性之一是其极低的导通电阻，通常在 4.5mΩ 以下，这显著降低了导通损耗，提高了系统效率。该器件在 10V 栅极驱动电压下可实现完全导通，适用于常见的 MOSFET 驱动电路。
EMP116MAAF 具有较高的电流承载能力，连续漏极电流可达 160A，适合高功率应用场景。其漏源击穿电压为 60V，能够承受较高的电压应力，适用于 12V、24V 和 48V 系统中的功率转换和控制。
该 MOSFET 采用 PowerFLAT 5x6 封装，具有优良的热性能和空间利用率，适用于紧凑型 PCB 设计。此外，EMP116MAAF 还具备高雪崩能量耐受能力，增强了在开关瞬态条件下的可靠性。
EMP116MAAF 的栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关损耗，提高高频操作下的效率。其栅源电压范围为 ±20V，兼容常见的驱动 IC 和控制器，增强了设计灵活性。
EMP116MAAF 被广泛应用于各种功率电子系统中，如同步整流、DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动器和电池管理系统。在同步整流电路中，EMP116MAAF 可替代传统二极管以提高效率，减少导通压降和热损耗。
在 DC-DC 转换器中，该器件可用于高侧或低侧开关，实现高效的电压转换。其低 RDS(on) 和高电流能力使其非常适合用于大功率电源模块。
在负载开关应用中，EMP116MAAF 可用于控制高电流负载的通断，如风扇、加热元件和大功率 LED 阵列。其快速开关特性也有助于减少启动时的电流冲击。
此外，EMP116MAAF 还适用于工业自动化设备、电动工具、电动车辆（如电动滑板车和电动自行车）的功率控制系统，提供稳定可靠的开关性能。
STP150N6F6AG, IPW90R120I3, IRFB4110, IPP116N10N3
