时间：2025/9/10 9:13:29
阅读：3
EMLE350ADAR10MD73G 是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的功率MOSFET晶体管，主要用于高功率开关应用。该器件采用先进的Trench沟槽工艺技术，提供高效的电能转换和优异的热性能。EMLE350ADAR10MD73G适用于工业电源、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等应用。
类型：N沟道
漏源电压（VDS）：100V
漏极电流（ID）：350A（最大值）
导通电阻（RDS(on)）：1.8mΩ（典型值）
栅极电压（VGS）：10V
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：D2-PAK（表面贴装）
EMLE350ADAR10MD73G 具有极低的导通电阻（RDS(on)），这有助于降低导通损耗并提高整体效率。该器件采用先进的Trench沟槽MOSFET技术，实现了卓越的开关性能和更高的电流承载能力。此外，其耐高温特性使其能够在严苛的工作环境中稳定运行。
该MOSFET具有快速开关速度，适用于高频操作，减少了开关损耗。此外，它具备良好的热稳定性，能够在高功率密度应用中提供可靠的热管理解决方案。EMLE350ADAR10MD73G的D2-PAK封装形式提供了较大的散热面积，有助于在高电流条件下保持较低的结温。
此器件还具有较高的耐用性和稳定性，适用于长时间运行的高负载系统。其低门极电荷（Qg）特性有助于减少驱动损耗，提高整体系统的能效。EMLE350ADAR10MD73G符合RoHS环保标准，适合广泛应用于现代电力电子系统中。
EMLE350ADAR10MD73G 主要应用于工业电源、大功率DC-DC转换器、不间断电源（UPS）、电动工具、电动车驱动系统、逆变器、电机控制电路以及各种高功率负载开关场景。由于其高电流能力和低导通损耗，它也常用于高性能服务器电源和通信设备电源模块中。
SiZ100DT, IPPB350P04P4-03
