类型：射频功率放大器
　　工艺技术：GaN（氮化镓）
　　工作频率范围：2200 MHz至2400 MHz（可根据定制需求调整）
　　输出功率：350 W（典型值）
　　增益：约20 dB（典型值）
　　效率：大于50%
　　电源电压：28 V
　　封装类型：模块化设计，带有散热片和连接器
　　工作温度范围：-40°C至+85°C
　　输入/输出阻抗：50 Ω
　　线性度：支持高线性度应用（如DPD系统）
　　封装尺寸：根据具体封装设计而定，通常为工业标准模块尺寸

EMLD350ADAR22MD73G是一款高性能射频功率放大器模块，基于GaN技术，具备高输出功率、高效率和良好的热管理能力。该模块的输出功率可达350W，适用于需要高功率输出的无线通信基础设施，如4G LTE和5G NR基站。其工作频率范围覆盖2200 MHz至2400 MHz，也可根据应用需求进行调整，满足多种无线通信频段的需求。该器件具有较高的功率增益，典型值约为20 dB，可有效减少前端驱动放大器的需求，从而简化系统设计。
　　EMLD350ADAR22MD73G采用了先进的热管理设计，具备良好的散热性能，可在高环境温度下稳定运行。其内置的偏置电路和温度补偿功能可确保输出功率在整个工作温度范围内保持稳定。此外，该模块支持高线性度操作，适合与数字预失真（DPD）系统配合使用，以满足现代通信系统对频谱效率和信号完整性的高要求。
　　该模块的封装设计考虑了工业级应用需求，具备良好的机械稳定性和电磁兼容性（EMC），适合在复杂电磁环境中运行。其电源电压为28V，便于与现有射频系统电源架构兼容。由于采用了模块化设计，用户可以快速集成到现有系统中，减少开发时间和成本。

EMLD350ADAR22MD73G广泛应用于无线通信基础设施，如4G LTE和5G NR基站、微波回传系统、雷达系统、测试与测量设备以及工业和医疗射频设备。其高功率输出和高效率特性使其成为需要高线性度和高稳定性的射频功率放大应用的理想选择。

EMLD500ADAR22MD73G, EMLD250ADAR22MD73G