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EMKA500ADAR22MD55G 发布时间 时间:2025/9/10 10:03:48 查看 阅读:4

EMKA500ADAR22MD55G是一款高性能的射频(RF)开关,专为需要快速切换和高可靠性的应用而设计。该器件由Analog Devices公司制造,属于其广泛的射频和微波组件产品线之一。EMKA500ADAR22MD55G采用GaAs(砷化镓)工艺制造,能够在高频范围内提供卓越的性能。该开关工作频率范围广,适用于多种射频系统,如通信基础设施、测试设备、雷达系统和工业控制系统。EMKA500ADAR22MD55G具有低插入损耗、高隔离度和快速切换时间等特点,使其在高性能射频系统中成为理想的选择。

参数

类型:射频开关
  工作频率:0.1 MHz 至 6 GHz
  插入损耗:典型值为0.4 dB(最大0.6 dB)
  隔离度:典型值为35 dB(最小30 dB)
  切换时间:典型值为20 ns
  功率处理能力:最大输入功率为30 dBm
  控制电压:0 V 至 5 V
  电源电压:5 V
  封装类型:16引脚TSSOP
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C

特性

EMKA500ADAR22MD55G射频开关的一个显著特点是其宽频带操作能力,覆盖从0.1 MHz到6 GHz的频率范围,适用于多种射频和微波应用。该器件采用单刀双掷(SPDT)配置,能够在两个射频路径之间快速切换,提供高可靠性和稳定性。EMKA500ADAR22MD55G的低插入损耗确保了信号在通过开关时的衰减最小,而高隔离度则有效防止了不同路径之间的信号干扰。此外,该开关的切换时间非常短,典型值仅为20 ns,使其适用于需要快速响应的应用场景。
  EMKA500ADAR22MD55G采用5 V单电源供电,控制电压范围为0 V至5 V,兼容常见的数字控制电路。这种设计简化了与微控制器或其他数字系统的集成,减少了外部电路的需求。该开关的封装为16引脚TSSOP,适合表面贴装工艺,便于在高密度电路板上使用。
  另一个重要特性是其高功率处理能力,能够承受最大30 dBm的输入功率,确保在高功率应用中的稳定性和耐用性。EMKA500ADAR22MD55G的工作温度范围为-40°C至+85°C,适用于各种恶劣环境条件下的应用。

应用

EMKA500ADAR22MD55G射频开关广泛应用于通信基础设施,如蜂窝基站和无线接入网络设备,用于在不同天线或频段之间进行快速切换。它也常用于测试和测量设备,如频谱分析仪和信号发生器,以提高测试系统的灵活性和效率。在雷达系统中,该开关可用于切换发射和接收路径,确保系统的高效运行。此外,EMKA500ADAR22MD55G还适用于工业控制系统和自动化设备,用于远程监测和控制高频信号。

替代型号

ADG902、HMC642、PE4259

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EMKA500ADAR22MD55G参数

  • 制造商United Chemi-Con (UCC)
  • 产品种类铝质电解电容器-SMD
  • 电容0.22 uF
  • 容差20 %
  • 电压额定值50 Volts
  • 工作温度范围- 40 C to + 105 C
  • 尺寸4 mm Dia. x 5.2 mm L
  • 产品Aluminum Electrolytic Capacitors
  • Capacitance - nF220 nF
  • Capacitance - pF220000 pF
  • 漏泄电流3 uAmps
  • 系列MKA
  • 工厂包装数量2000
  • 端接类型SMD/SMT