电容值：10μF
　　额定电压：25V DC
　　温度特性：X5R（-55°C 至 +85°C，电容变化率±15%）
　　封装尺寸：3.2mm x 2.5mm（EIA 1210）
　　介质材料：BaTiO3基陶瓷（高K材料）
　　工作温度范围：-55°C 至 +85°C
　　电容容差：±20%
　　直流偏压特性：随电压升高电容值下降明显（典型特征）
　　ESR（等效串联电阻）：低，具体值依频率而定
　　ESL（等效串联电感）：低，适用于高频去耦
　　老化率：≤2.5%每 decade（X5R材质典型值）

EMK325F106ZHT作为一款高性能多层陶瓷电容器，具备多项优异电气与机械特性，适用于复杂电磁环境下的稳定运行。首先，其采用X5R类高介电常数陶瓷材料，能够在较小封装内实现高达10μF的电容值，显著提升了单位体积内的储能能力，满足现代电子产品小型化、轻薄化的设计趋势。相较于传统的电解电容或钽电容，该MLCC无极性、寿命长、可靠性高，且具有更低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），使其在高频去耦和瞬态响应方面表现突出，特别适用于开关电源输出滤波、FPGA或处理器供电网络（PDN）中的局部储能。
　　其次，该器件具备良好的温度稳定性，在-55°C至+85°C范围内电容值变化不超过±15%，确保了在宽温环境下系统性能的一致性。然而需要注意的是，X5R材质存在明显的直流偏压效应——即施加接近额定电压的直流偏置时，实际可用电容会显著下降，例如在25V工作电压下，有效电容可能仅剩标称值的50%甚至更低。因此在设计时必须参考制造商提供的DC bias曲线进行降额设计，避免因电容缩水导致滤波性能不足。
　　此外，EMK325F106ZHT采用镍阻挡层电极结构（Ni-barrier electrode），提高了抗热冲击能力和焊接可靠性，支持回流焊工艺，兼容无铅焊接流程。其绝缘电阻高（通常大于500MΩ或1000MΩ），漏电流小，适合用于精密模拟电路的耦合与旁路应用。机械强度方面，尽管1210封装相对较大，但仍需注意PCB布局中避免应力集中，防止因板弯或热胀冷缩引发裂纹失效。总体而言，该型号在容量、电压、尺寸之间实现了良好平衡，是中高压、中大容量去耦场景中的优选方案之一。

EMK325F106ZHT主要应用于需要中等容量与较高耐压的去耦和滤波场合。典型使用场景包括各类开关模式电源（SMPS）的输入/输出滤波电容，特别是在DC-DC转换器模块中作为输出端平滑电容，用于抑制电压纹波并提供瞬时电流支持。在数字系统中，如微处理器、DSP、FPGA和ASIC的电源引脚附近，该电容常被用作批量储能元件，配合小容量陶瓷电容（如0.1μF）构成多级去耦网络，以覆盖从低频到高频的噪声抑制需求。
　　此外，该器件也广泛用于工业控制设备、通信基站电源模块、医疗电子设备以及汽车电子中的辅助电源系统。由于其具备一定的耐压裕度（25V），可在12V或24V电源系统中安全使用，适用于PoE（Power over Ethernet）设备、路由器、交换机等网络基础设施产品。在音频放大器或ADC/DAC信号链前端，可作为交流耦合电容使用，前提是注意避免直流偏置影响导致非线性失真。
　　考虑到其物理尺寸（1210）相对较大，在高振动或频繁热循环环境中应优化PCB布局，建议采用对称焊盘设计和中心锚定方式减少机械应力。同时，在自动贴片生产过程中需确保精确的钢网开孔和回流焊温度曲线控制，以防止立碑（tombstoning）或虚焊等问题。综上所述，EMK325F106ZHT凭借其可靠的性能和成熟的供应链，已成为多种中高端电子系统中不可或缺的基础元件。

GRM325R60J106ME19L
　　CL31A106KPQNNNE
　　TC325R60J106M