时间：2025/4/28 9:59:17
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EMK325BJ226MM-P 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等领域。该芯片采用了先进的制造工艺，具备低导通电阻和高开关速度的特点，能够在高频条件下保持高效能表现。
器件类型：MOSFET
封装类型：PQFN
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅极源极电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：120A
导通电阻(Rds(on))：1.4mΩ
总功耗(Ptot)：280W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装尺寸：11.0mm x 11.0mm x 1.0mm
EMK325BJ226MM-P 提供了非常低的导通电阻，能够有效减少导通损耗并提高系统效率。此外，其快速开关性能和优化的寄生电容使得它在高频应用中表现出色。
这款器件还具有出色的热稳定性，即使在极端温度环境下也能维持稳定的电气特性。同时，内置的保护机制（如过流保护和短路保护）提高了系统的可靠性。
EMK325BJ226MM-P 主要应用于需要高效率和大电流处理能力的场景，包括但不限于：
1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关管。
2. 电动汽车及混合动力汽车中的电机驱动控制器。
3. 工业设备中的负载切换和功率调节。
4. 大功率 LED 驱动器。
5. 各类 DC-DC 转换器模块。
IRFP2907ZPBF, FDP18N60C, STP120NF06L
