类型：多层陶瓷电容器（MLCC）
　　封装尺寸：1210（3.2mm x 2.5mm）
　　电容值：22μF
　　容差：±10%
　　额定电压：25V DC
　　电介质材料：X7R
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　温度特性：ΔC/C ≤ ±15%（在-55°C至+125°C范围内）
　　直流偏压特性：随电压增加电容值有所下降（典型X7R行为）
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　端接形式：镍阻挡层/锡镀层（Ni-Sn）
　　符合标准：RoHS compliant, AEC-Q200（如适用）
　　包装形式：卷带编装（Tape and Reel），标准包装数量为500pcs

EMK325B7226KMHT采用先进的叠层陶瓷制造工艺，在1210的小型封装中实现22μF的大容量输出，充分体现了高密度集成的设计理念。其核心优势之一在于X7R电介质材料所赋予的优异温度稳定性，即使在极端环境温度下也能维持电容值的变化在±15%以内，确保电路参数的一致性和系统运行的可靠性。这种特性使其特别适用于对温度敏感的应用场景，例如汽车电子、工业控制模块以及户外通信设备。
　　该电容器具备较低的等效串联电阻（ESR），能够在高频开关电源环境中高效地吸收纹波电流，减少发热损耗，从而提升整体电源效率。同时，其良好的频率响应特性使得在数百kHz到数MHz范围内仍能保持较高的有效电容值，优于许多电解电容或钽电容的表现。
　　值得注意的是，由于使用的是Class II电介质（X7R），该器件会表现出一定的电压依赖性，即随着施加直流偏压的升高，实际可用电容值将逐渐降低。因此在设计时需参考厂商提供的直流偏压曲线进行降额评估，以保证在工作电压下的实际电容满足最小需求。
　　机械结构方面，EMK325B7226KMHT采用强化端电极设计，增强了抗热应力和机械应力的能力，降低了因PCB弯曲或热胀冷缩导致的裂纹风险。此外，其端子采用镍阻挡层加锡镀层结构，不仅提高了焊接可靠性和润湿性，还防止了银离子迁移问题，提升了长期使用的稳定性。
　　该器件支持现代SMT贴片工艺，兼容无铅回流焊曲线，适用于大规模自动化生产。凭借三星电机严格的品质管控体系，产品具有一致性高、失效率低的特点，广泛用于高要求的应用场合。

EMK325B7226KMHT主要用于需要中等电压等级和较大电容值的表面贴装电路设计中。典型应用包括各类开关模式电源（SMPS）中的输入/输出滤波电容，特别是在DC-DC转换器中用于平滑电压波动和抑制高频噪声。其低ESR特性使其成为FPGA、微处理器、GPU和ASIC等高性能数字芯片的电源去耦理想选择，可有效应对快速变化的负载电流带来的电压跌落问题，保障核心逻辑电路的稳定运行。
　　在工业控制系统中，该器件可用于PLC模块、传感器接口电路和HMI面板的电源管理部分，提供稳定的局部储能。在通信基础设施领域，如基站射频单元、光模块和网络交换机中，EMK325B7226KMHT常被用作电源轨旁路电容，消除高频干扰，提升信号完整性。
　　此外，该电容也适用于汽车电子系统，包括车身控制模块、信息娱乐系统和ADAS传感器供电电路，满足AEC-Q200可靠性标准的相关要求（具体需确认批次认证情况）。在消费类电子产品中，如高端智能手机、平板电脑和笔记本电脑的主板设计中，该型号可用于主电源轨的次级滤波，替代传统钽电容以降低成本并提高可靠性。
　　由于其宽温特性和高可靠性，EMK325B7226KMHT也可用于医疗设备、测试仪器和航空航天领域的非宇航级电子系统中，作为关键电源支撑元件。

GRM325B7226KE19D
　　CL32B226KPQNNNE
　　C3225X7R2E226K250AC
　　TC3225X7R25V226K