时间：2025/6/27 11:12:23
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EMK316BJ106KD-T 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高性能功率晶体管，适用于高频开关电源、DC-DC转换器和射频放大器等应用场景。该器件采用增强型场效应晶体管（eGaN FET）设计，具有极低的导通电阻和快速的开关速度，可显著提高系统效率并减小电路尺寸。
其封装形式为表面贴装类型，适合自动化生产，同时具备良好的散热性能。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：25A
导通电阻：6mΩ
栅极电荷：9nC
反向恢复时间：20ns
工作温度范围：-55℃ 至 150℃
EMK316BJ106KD-T 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，减少传导损耗并提升效率。
2. 快速的开关速度，支持高频操作，降低开关损耗。
3. 内置优化的栅极驱动设计，简化外围电路设计。
4. 高度可靠的氮化镓技术，确保长期稳定运行。
5. 符合RoHS标准，绿色环保。
6. 小型化封装，节省PCB空间，适合高密度设计。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 高效AC-DC和DC-DC转换器。
2. 图形卡供电模块（VRM）。
3. 数据中心服务器电源。
4. 消费电子快充适配器。
5. 射频功率放大器。
6. 无线充电设备。
7. 工业电机驱动控制。
8. 光伏逆变器中的高效能量转换部分。
EMK316AJ106KD-T, EMK316CJ106KD-T
