时间：2025/12/27 11:08:26
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EMK212B7474MGHT是村田制作所（Murata Manufacturing Co., Ltd.）生产的一款多层陶瓷电容器（MLCC）。该器件属于村田的高性能陶瓷电容系列，广泛应用于各类电子设备中，尤其是在需要高稳定性和高可靠性的电路设计中表现优异。该型号中的编码遵循村田的标准命名规则：EMK表示其为标准金属端面电极结构的MLCC；212代表尺寸代码（即公制尺寸2125P，对应0805英制封装）；B7表示温度特性与介电材料类别（X6S或X7R等级）；474表示电容值470nF（即47×10? pF）；M表示电容容差±20%；G表示额定电压等级（16V DC）；H表示端头电极类型（镍阻挡层+锡电镀）；T表示编带包装形式。这款电容器采用先进的陶瓷介质和稳定的制造工艺，具备良好的温度稳定性、低等效串联电阻（ESR）和较高的抗弯曲强度，适用于现代高密度表面贴装技术（SMT）应用场景。由于其优良的电气性能和机械可靠性，EMK212B7474MGHT被广泛用于消费类电子产品、通信设备、电源管理模块以及工业控制系统等领域。
尺寸（公制/英制）：2125P / 0805
电容值：470nF (474)
容差：±20%
额定电压：16V DC
温度特性：X6S (±15%变化范围，-55°C 至 +105°C)
介质材料：Class II (BaTiO3基陶瓷)
工作温度范围：-55°C 至 +105°C
端电极结构：Ni/Sn（镍阻挡层+锡电镀）
包装形式：编带（Tape and Reel）
产品系列：EMK系列
抗弯强度：高抗弯曲设计
老化特性：典型老化率为2.5%每十年（在室温下）
EMK212B7474MGHT具有出色的温度稳定性和频率响应特性，采用X6S类高温稳定型陶瓷介质，在-55°C至+105°C的工作温度范围内，电容值的变化控制在±15%以内，满足大多数中高压、中容量去耦与滤波应用的需求。相比传统的Y5V等低稳定性介质，X6S材料显著提升了电容器在宽温环境下的性能一致性，同时避免了因温度波动导致的电路失稳问题。该器件具备较低的等效串联电阻（ESR），使其在高频去耦和噪声旁路应用中表现出色，尤其适合用于DC-DC转换器输出端的滤波电路。其0805（2125P）封装形式在体积与焊接可靠性之间实现了良好平衡，既适用于高密度PCB布局，又具备较强的抗机械应力能力。村田独有的高抗弯曲结构设计有效防止因PCB弯曲或热应力引起的裂纹失效，提高了整体系统的长期可靠性。
此外，该电容器采用三层端子电极结构（Inner Electrode / Ni Barrier / Sn Plating），增强了耐焊性与可焊性，符合无铅回流焊工艺要求，并通过AEC-Q200等可靠性认证，适用于汽车电子等严苛环境。其静电容量随直流偏压的变化相对温和，相较于更高介电常数但稳定性差的材料（如Y5V），在实际工作电压下仍能保持较大部分的标称容量。产品还具备良好的耐湿性和长期老化稳定性，确保在复杂环境条件下长期运行不发生显著性能退化。这些综合特性使EMK212B7474MGHT成为中等容量、中压级去耦、滤波及信号耦合应用的理想选择。
该电容器广泛应用于便携式消费类电子产品，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源去耦与噪声抑制电路。在通信系统中，常用于射频模块、基带处理器和接口电路的滤波网络，提供稳定的电压供应并减少高频干扰。在电源管理单元（PMU）、DC-DC转换器和LDO稳压器输出端，该器件能够有效平滑输出电压纹波，提高电源质量。此外，也常见于工业控制设备、医疗电子仪器以及汽车电子模块（如车身控制模块、信息娱乐系统）中，用于电源轨的局部储能与瞬态响应补偿。由于其具备一定的耐高温能力和可靠性，可在非引擎舱类车载应用中安全使用。在自动化仪表、传感器信号调理电路中，该电容可用于交流耦合与噪声滤除，提升信号完整性。同时，因其标准化封装和广泛供货渠道，也成为研发原型设计和批量生产的常用元件之一。
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"GRM21BR71C474KA01L",
"CL21B474KBQNNNE",
"C2012X7R1C474K125AA",
"EMK212B7474MGHF"
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