时间：2025/12/27 10:36:36
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EMK212B7225MGHT是三星电机（Samsung Electro-Mechanics）生产的一款多层陶瓷电容器（MLCC），属于高介电常数、高容量的X7R或X5R类型的片式电容，广泛应用于消费类电子产品、通信设备和电源管理电路中。该器件采用标准的0805封装尺寸（公制2012），额定电容值为2.2μF，额定电压为25V DC，具有良好的温度稳定性和较低的等效串联电阻（ESR），适用于去耦、滤波和旁路等多种电路功能。EMK212B7225MGHT采用镍阻挡层端子结构（Ni barrier terminal），具备较强的抗硫化能力，能够在恶劣环境条件下保持稳定性能。此外，该产品符合RoHS环保要求，并支持无铅回流焊工艺，适合现代自动化贴装生产线。作为一款高性能的陶瓷电容，它在小型化与高容量之间实现了良好平衡，是许多电子设计中的优选元件之一。
型号：EMK212B7225MGHT
制造商：Samsung Electro-Mechanics
封装/尺寸：0805（2.0mm x 1.25mm）
电容值：2.2μF
容差：±20%
额定电压：25V DC
介质材料：X7R 或 X5R（典型）
工作温度范围：-55°C 至 +125°C（X7R）或 -40°C 至 +85°C（X5R）
温度特性：ΔC/C ≤ ±15%（X7R）
电极结构：Ni Barrier（抗硫化）
安装类型：表面贴装（SMD）
层数结构：多层陶瓷
等效串联电阻（ESR）：低（典型值在mΩ级，具体依频率而定）
自谐振频率（SRF）：取决于应用条件
可靠性：符合AEC-Q200（部分等级）及JEDEC标准
环保合规性：符合RoHS指令，无卤素（可选）
EMK212B7225MGHT具备优异的电气性能和机械稳定性，其核心优势在于在小尺寸封装下实现了高达2.2μF的电容值，这得益于三星电机先进的叠层制造工艺和高介电常数陶瓷材料的应用。该电容器采用X7R或X5R类陶瓷介质，能够在宽温度范围内维持电容值的相对稳定，尤其X7R版本可在-55°C至+125°C区间内保证电容变化不超过±15%，非常适合用于对温度敏感的应用场景。其0805（2012）封装形式兼顾了空间利用率与焊接可靠性，在自动贴片过程中表现出良好的共面性和可焊性。
该器件采用镍阻挡层端子技术，显著提升了抗硫化能力，防止因环境中硫化物侵蚀导致的开路失效，从而增强产品在工业、汽车或高污染环境下的长期可靠性。同时，其内部电极采用铜内电极替代传统的银钯电极，不仅降低了材料成本，也提高了资源可持续性，并通过优化烧结工艺确保了层间结合强度和耐电压冲击能力。
EMK212B7225MGHT具有极低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），使其在高频去耦和噪声滤波应用中表现优异，能有效抑制电源线上的电压波动和高频干扰。此外，该电容无压电效应（相比某些Y5V材料），避免了机械振动或电场变化引起的噪声问题，适用于音频和精密模拟电路。产品经过严格的可靠性测试，包括高温高湿偏置（H3TRB）、温度循环（TC）、负载寿命等，确保在各种严苛工况下的稳定运行。
EMK212B7225MGHT广泛应用于各类需要中高压、中大容量去耦和滤波功能的电子系统中。常见使用场景包括智能手机、平板电脑、笔记本电脑和其他便携式消费电子产品中的电源管理单元（PMU）去耦，用于稳定DC-DC转换器输出电压，减少纹波干扰。在主板、GPU、CPU供电模块中，该电容常被用作输入/输出滤波电容，配合其他元件构成完整的电源完整性（Power Integrity）解决方案。
在通信设备如路由器、交换机、基站模块中，EMK212B7225MGHT可用于信号路径的旁路和耦合，提升信号质量与系统抗干扰能力。其稳定的温度特性和抗硫化设计也使其适用于车载电子系统，例如车载信息娱乐系统（IVI）、ADAS传感器模块和车身控制模块，在这些应用中需承受较大的温度波动和复杂化学环境。
此外，该器件还适用于工业控制设备、医疗仪器、LED照明驱动电源以及各类嵌入式系统中，作为储能、平滑和瞬态响应补偿元件。由于其支持无铅回流焊接工艺，完全兼容现代SMT生产线，便于大规模自动化组装，因此成为众多工程师在高密度PCB布局中的首选MLCC之一。
GRM21BR72A225KA01L
CL21B225KBQNNNE
RC0805FR-072K2L
C2012X7R2A225K
