EMK105BJ105KV-F 是一种金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),属于增强型 N 沟道器件。该型号主要应用于高频开关电源、电机驱动和功率转换等场景,具有低导通电阻和快速开关速度的特性。
这款 MOSFET 采用了先进的封装技术,确保其具备高可靠性和优异的散热性能,适合要求高效能和稳定性的电子设备。
最大漏源电压:100V
连续漏极电流:5.8A
导通电阻:6mΩ
栅极电荷:39nC
开关时间:ton=14ns, toff=28ns
工作结温范围:-55℃ 至 +175℃
封装形式:TO-263
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少功率损耗,提升效率。
2. 高速开关能力,适合高频应用场景。
3. 良好的热稳定性,在高温环境下仍能保持性能。
4. 内置反向二极管,支持续流功能,适用于电机驱动和开关电源设计。
5. 符合 RoHS 标准,环保且无铅焊接兼容。
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
2. DC-DC 转换器的核心元件。
3. 电机驱动电路中的驱动级 MOSFET。
4. 太阳能逆变器和其他功率转换设备。
5. 各种工业控制和消费类电子产品中的功率管理模块。
IRFZ44N, FDP5570, AO3400