时间：2025/5/7 22:14:36
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EMH6T2R 是一款高性能的功率MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管），主要应用于需要高效开关和低导通电阻的场景。该器件采用先进的制造工艺，具备出色的电气性能和可靠性，适合各种工业和消费类电子应用。
这款功率MOSFET通常被用于电源管理、电机驱动、负载切换以及其他高效率需求的电路设计中。它支持高频开关操作，并具有较低的导通损耗，使其成为节能型设计的理想选择。
型号：EMH6T2R
类型：N-Channel MOSFET
VDS（漏源电压）：60V
RDS(on)（导通电阻）：2.5mΩ
ID（连续漏极电流）：140A
Qg（栅极电荷）：70nC
fSW（开关频率）：最高可达500kHz
封装形式：TO-247
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
EMH6T2R 具备以下关键特性：
1. 极低的导通电阻（RDS(on) = 2.5mΩ），有助于减少导通损耗并提高整体效率。
2. 高额定电流能力（ID = 140A），能够满足大功率应用的需求。
3. 快速开关速度，支持高达500kHz的工作频率，非常适合高频应用。
4. 小巧的栅极电荷（Qg = 70nC），降低了驱动功耗。
5. 良好的热性能，确保在高功率运行时保持稳定性。
6. 工作温度范围宽广（-55℃至+175℃），适用于极端环境下的应用。
7. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
EMH6T2R 的典型应用场景包括：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关或同步整流元件。
2. DC-DC转换器的核心功率器件。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. 电池管理系统（BMS）中的负载开关或保护器件。
5. 汽车电子系统中的高电流切换应用。
6. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统的功率变换模块。
EMH6T2RA, IRF840, FDP5500
