EMH11T2R 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效率功率晶体管,广泛应用于高频开关电源、DC-DC转换器以及射频放大器等领域。该器件采用增强型场效应晶体管(eGaN FET)结构设计,具有极低的导通电阻和快速的开关速度,显著提升了系统能效并减小了整体尺寸。
EMH11T2R 的封装形式为行业标准的小型表面贴装封装,适合自动化生产,并具备良好的散热性能,使其在高功率密度应用中表现优异。
型号:EMH11T2R
类型:增强型 GaN 功率晶体管
Vds(漏源电压):650V
Rds(on)(导通电阻):180mΩ
Id(连续漏极电流):7A
Qg(栅极电荷):40nC
Ciss(输入电容):1390pF
Coss(输出电容):105pF
Eoss(输出能量):10μJ
Vgs(th)(栅极阈值电压):1.5V to 3V
工作温度范围:-55°C to +150°C
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),确保高效率的能量转换。
2. 高速开关能力,支持高达数兆赫兹的工作频率。
3. 内置优化的栅极驱动电路,简化了外部驱动设计并提高了可靠性。
4. 良好的热性能,能够承受长时间高负载运行。
5. 集成保护功能,包括过流保护和短路保护,增强了系统的安全性。
6. 小型化封装设计,节省PCB空间,同时支持高效散热管理。
7. 稳定性高,在极端温度条件下仍能保持一致的电气性能。
8. 符合RoHS标准,环保且无铅。
EMH11T2R 主要用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS)
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动与控制
4. 射频功率放大器
5. 充电器及适配器
6. 新能源汽车中的电力管理系统
7. 工业自动化设备中的高效率功率转换模块
8. 可再生能源逆变器,如太阳能微逆变器
EMH10T2R
EMH12T2R
GAN042-650WSB