时间：2025/6/4 10:41:21
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EMH11T2R 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效率功率晶体管，广泛应用于高频开关电源、DC-DC转换器以及射频放大器等领域。该器件采用增强型场效应晶体管（eGaN FET）结构设计，具有极低的导通电阻和快速的开关速度，显著提升了系统能效并减小了整体尺寸。
EMH11T2R 的封装形式为行业标准的小型表面贴装封装，适合自动化生产，并具备良好的散热性能，使其在高功率密度应用中表现优异。
型号：EMH11T2R
类型：增强型 GaN 功率晶体管
Vds（漏源电压）：650V
Rds(on)（导通电阻）：180mΩ
Id（连续漏极电流）：7A
Qg（栅极电荷）：40nC
Ciss（输入电容）：1390pF
Coss（输出电容）：105pF
Eoss（输出能量）：10μJ
Vgs(th)（栅极阈值电压）：1.5V to 3V
工作温度范围：-55°C to +150°C
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），确保高效率的能量转换。
2. 高速开关能力，支持高达数兆赫兹的工作频率。
3. 内置优化的栅极驱动电路，简化了外部驱动设计并提高了可靠性。
4. 良好的热性能，能够承受长时间高负载运行。
5. 集成保护功能，包括过流保护和短路保护，增强了系统的安全性。
6. 小型化封装设计，节省PCB空间，同时支持高效散热管理。
7. 稳定性高，在极端温度条件下仍能保持一致的电气性能。
8. 符合RoHS标准，环保且无铅。
EMH11T2R 主要用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动与控制
4. 射频功率放大器
5. 充电器及适配器
6. 新能源汽车中的电力管理系统
7. 工业自动化设备中的高效率功率转换模块
8. 可再生能源逆变器，如太阳能微逆变器
EMH10T2R
EMH12T2R
GAN042-650WSB
