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EMH11T2R 发布时间 时间:2025/6/4 10:41:21 查看 阅读:6

EMH11T2R 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效率功率晶体管,广泛应用于高频开关电源、DC-DC转换器以及射频放大器等领域。该器件采用增强型场效应晶体管(eGaN FET)结构设计,具有极低的导通电阻和快速的开关速度,显著提升了系统能效并减小了整体尺寸。
  EMH11T2R 的封装形式为行业标准的小型表面贴装封装,适合自动化生产,并具备良好的散热性能,使其在高功率密度应用中表现优异。

参数

型号:EMH11T2R
  类型:增强型 GaN 功率晶体管
  Vds(漏源电压):650V
  Rds(on)(导通电阻):180mΩ
  Id(连续漏极电流):7A
  Qg(栅极电荷):40nC
  Ciss(输入电容):1390pF
  Coss(输出电容):105pF
  Eoss(输出能量):10μJ
  Vgs(th)(栅极阈值电压):1.5V to 3V
  工作温度范围:-55°C to +150°C

特性

1. 极低的导通电阻(Rds(on)),确保高效率的能量转换。
  2. 高速开关能力,支持高达数兆赫兹的工作频率。
  3. 内置优化的栅极驱动电路,简化了外部驱动设计并提高了可靠性。
  4. 良好的热性能,能够承受长时间高负载运行。
  5. 集成保护功能,包括过流保护和短路保护,增强了系统的安全性。
  6. 小型化封装设计,节省PCB空间,同时支持高效散热管理。
  7. 稳定性高,在极端温度条件下仍能保持一致的电气性能。
  8. 符合RoHS标准,环保且无铅。

应用

EMH11T2R 主要用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)
  2. DC-DC转换器
  3. 电机驱动与控制
  4. 射频功率放大器
  5. 充电器及适配器
  6. 新能源汽车中的电力管理系统
  7. 工业自动化设备中的高效率功率转换模块
  8. 可再生能源逆变器,如太阳能微逆变器

替代型号

EMH10T2R
  EMH12T2R
  GAN042-650WSB

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EMH11T2R参数

  • 标准包装8,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
  • 系列-
  • 晶体管类型2 个 NPN 预偏压式(双)
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧)10k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧)10k
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)30 @ 5mA,5V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)300mV @ 500µA,10mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)500nA
  • 频率 - 转换250MHz
  • 功率 - 最大150mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOT-563,SOT-666
  • 供应商设备封装EMT6
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称EMH11T2R-NDEMH11T2RTR