型号：EMG4T2R
　　制造商：Toshiba
　　器件类型：N-Channel MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：30 V
　　最大连续漏极电流（ID）：4.4 A
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：17.6 A
　　最大栅源电压（VGS）：±20 V
　　导通电阻（RDS(on)）：45 mΩ @ VGS = 10 V, ID = 2.2 A
　　导通电阻（RDS(on)）：57 mΩ @ VGS = 4.5 V, ID = 2.2 A
　　阈值电压（Vth）：1.0 V ~ 2.5 V
　　输入电容（Ciss）：590 pF @ VDS = 15 V
　　输出电容（Coss）：145 pF @ VDS = 15 V
　　反向传输电容（Crss）：30 pF @ VDS = 15 V
　　栅极电荷（Qg）：8.5 nC @ VGS = 10 V
　　功耗（Ptot）：1 W
　　工作结温范围：-55°C to +150°C
　　存储温度范围：-55°C to +150°C
　　封装类型：SOT-23

EMG4T2R作为一款高性能N沟道MOSFET，在多个方面展现出优异的技术特性。首先，其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通状态下的功率损耗，尤其是在大电流应用场景下能够有效提升系统效率。例如，在4.5V栅极驱动条件下，其典型RDS(on)仅为57mΩ，这使得它非常适合用于低压直流-直流转换器、同步整流电路以及电池管理系统中作为开关元件。
　　其次，该器件具备出色的开关速度。得益于较小的输入电容（Ciss）和栅极电荷（Qg），EMG4T2R可以在高频工作条件下实现快速的开启与关断，从而减少开关过程中的能量损耗，适用于高频开关电源、LED驱动电路以及脉宽调制（PWM）控制等对响应速度要求较高的场合。同时，较低的反向传输电容（Crss）也有助于抑制米勒效应，提高电路稳定性，避免因寄生反馈导致的误触发问题。
　　再者，EMG4T2R采用SOT-23小型封装，体积小巧，便于在高密度PCB布局中使用，特别适合空间受限的便携式设备如智能手机、可穿戴设备、无线传感器节点等。尽管封装尺寸小，但其仍能承受高达4.4A的连续漏极电流和17.6A的脉冲电流，表现出良好的电流处理能力。此外，宽泛的工作结温范围（-55°C至+150°C）确保了其在恶劣环境条件下的可靠性，可用于工业控制、汽车电子辅助系统等对环境适应性要求较高的领域。
　　最后，该MOSFET具有良好的栅极耐压能力，支持±20V的栅源电压，增强了其在瞬态电压波动情况下的鲁棒性。结合其1.0V~2.5V的阈值电压范围，EMG4T2R可以兼容多种逻辑电平驱动信号，包括3.3V和5V微控制器输出，无需额外电平转换电路即可直接驱动，简化了系统设计复杂度。

EMG4T2R广泛应用于各类需要高效功率开关控制的电子系统中。常见用途包括便携式电子设备中的电源管理模块，如智能手机、平板电脑和蓝牙耳机中的电池充放电控制与负载开关；也可用于DC-DC升压或降压转换器中作为同步整流开关，以提高转换效率。此外，该器件适用于电机驱动电路，特别是微型直流电机或步进电机的控制，常见于玩具、小型家电和自动化执行机构中。在LED照明领域，EMG4T2R可用于恒流驱动或调光控制电路，利用其快速开关特性实现精确的PWM调光功能。工业控制系统中，该MOSFET常被用作固态继电器替代方案，用于控制继电器线圈、电磁阀或其他低功率负载。由于其小型封装和高可靠性，也适用于通信设备、传感器模块和物联网终端设备中的信号切换与电源通断控制。

SSM3K343FX, BSS138LT1G, 2N7002K, DMG2305UX