时间：2025/7/25 16:37:09
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EMF60P02J是一款由东芝（Toshiba）制造的P沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理和开关电路中。该器件采用先进的沟槽式技术，提供较低的导通电阻和高效的开关性能，适合用于高功率密度的设计。
类型：P沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：-60V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：-160A（在Tc=25℃）
导通电阻（Rds(on)）：约1.75mΩ（最大值）
工作温度范围：-55℃至150℃
封装类型：SMD（表面贴装器件）
功率耗散：约160W
EMF60P02J是一款高性能P沟道MOSFET，具有多项技术优势。其低导通电阻（Rds(on)）确保在高电流应用中实现较低的功率损耗，从而提高整体效率。此外，该器件的高电流承载能力（高达-160A）使其适合用于高功率开关应用，如DC-DC转换器、负载开关和电机驱动器。
该MOSFET的沟槽式结构优化了导通和开关性能，使其在高频应用中表现出色。同时，其宽泛的工作温度范围（-55℃至150℃）确保在极端环境条件下仍能稳定工作，适用于工业和汽车电子等要求较高的场景。
EMF60P02J的封装形式为SMD（表面贴装器件），便于自动化生产和紧凑型设计，适用于高密度电路板布局。此外，该器件的栅极驱动电压范围较宽（±20V），兼容多种常见的驱动电路设计，提高了设计的灵活性和适应性。
EMF60P02J常用于各种高功率和高效能要求的电路中。典型应用包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动器以及工业电源设备。此外，由于其高可靠性和耐久性，它也适用于汽车电子系统，如车载充电器、起停系统和电动助力转向控制模块。
TPH9R00C0M
TNM9402R
