时间：2025/7/11 14:57:01
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EMF212B7474KGHT 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要用于高效率开关电源、电机驱动以及 DC-DC 转换器等应用领域。该器件采用先进的半导体制造工艺，具备低导通电阻和高开关速度的特点，效率。
此型号属于增强型 N 沟道 MOSFET 系列，具有出色的热性能和电气特性，使其能够适应各种严苛的工作环境。此外，其封装形式经过优化设计，方便用户在电路板上进行集成和散热管理。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：35A
导通电阻：2.8mΩ
栅极电荷：48nC
总电容：2650pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-247
EMF212B7474KGHT 具备以下关键特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可有效减少功率损耗。
2. 高速开关能力，适用于高频开关应用。
3. 较大的漏极电流承载能力，满足高功率需求。
4. 宽泛的工作温度范围，确保在极端条件下稳定运行。
5. 内置静电放电保护功能，增强可靠性。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
7. 封装坚固耐用，适合表面贴装或通孔安装方式。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 中的主开关元件。
2. 电动工具及家用电器中的电机驱动控制。
3. 新能源汽车中的 DC-DC 转换器模块。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. 充电器与适配器的设计。
6. LED 照明系统的驱动电路。
7. 各种功率变换电路中的功率级组件。
IRF260N
STP36NF06
FDP16N60
