EMF212B7105KGHT是一款由Episil公司生产的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),属于N沟道增强型器件。该芯片广泛应用于电源管理、开关电路以及高频信号处理等场景。其高击穿电压和低导通电阻特性,使其成为需要高效功率转换应用的理想选择。
该型号采用TO-252封装形式,具备出色的散热性能,并且在各种工业和消费类电子设备中都有广泛应用。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:8A
栅极电荷:34nC
导通电阻:9mΩ
工作温度范围:-55℃ to +175℃
封装形式:TO-252
EMF212B7105KGHT具有较低的导通电阻,从而减少功率损耗并提高效率。同时,其快速开关能力使得它非常适合高频应用。此外,该芯片拥有较高的雪崩能量承受能力,增强了器件在异常情况下的可靠性。
其热稳定性强,在高温环境下仍能保持良好的性能表现。再加上较小的封装体积,为设计者提供了更多的布局灵活性。此款MOSFET还具备优异的抗静电能力(ESD protection),进一步提升了产品的耐用性。
该型号常用于各类直流电机驱动电路、开关电源适配器、不间断电源系统(UPS)、太阳能逆变器以及其他涉及高效功率控制的应用场景。
由于其出色的电气特性和物理特性,EMF212B7105KGHT也被广泛应用于汽车电子领域中的负载切换和电池管理系统当中。
IRFZ44N
STP80NF06
FDP15U20A
AO3400