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EMF212B7105KGHT 发布时间 时间:2025/7/4 23:57:05 查看 阅读:7

EMF212B7105KGHT是一款由Episil公司生产的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),属于N沟道增强型器件。该芯片广泛应用于电源管理、开关电路以及高频信号处理等场景。其高击穿电压和低导通电阻特性,使其成为需要高效功率转换应用的理想选择。
  该型号采用TO-252封装形式,具备出色的散热性能,并且在各种工业和消费类电子设备中都有广泛应用。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:8A
  栅极电荷:34nC
  导通电阻:9mΩ
  工作温度范围:-55℃ to +175℃
  封装形式:TO-252

特性

EMF212B7105KGHT具有较低的导通电阻,从而减少功率损耗并提高效率。同时,其快速开关能力使得它非常适合高频应用。此外,该芯片拥有较高的雪崩能量承受能力,增强了器件在异常情况下的可靠性。
  其热稳定性强,在高温环境下仍能保持良好的性能表现。再加上较小的封装体积,为设计者提供了更多的布局灵活性。此款MOSFET还具备优异的抗静电能力(ESD protection),进一步提升了产品的耐用性。

应用

该型号常用于各类直流电机驱动电路、开关电源适配器、不间断电源系统(UPS)、太阳能逆变器以及其他涉及高效功率控制的应用场景。
  由于其出色的电气特性和物理特性,EMF212B7105KGHT也被广泛应用于汽车电子领域中的负载切换和电池管理系统当中。

替代型号

IRFZ44N
  STP80NF06
  FDP15U20A
  AO3400

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EMF212B7105KGHT参数

  • 现有数量4,177现货
  • 价格1 : ¥2.07000剪切带(CT)3,000 : ¥0.47856卷带(TR)
  • 系列M
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态不适用于新设计
  • 电容1 μF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定16V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车,SMPS 滤波
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.053"(1.35mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-