EMF107B7474KAHT 是一款由东芝(Toshiba)生产的高速 MOSFET 场效应晶体管。该型号属于东芝的 E 系列功率 MOSFET,广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器以及其他需要高效能和快速开关特性的电子设备中。
这款 MOSFET 采用了先进的制造工艺,具有较低的导通电阻和出色的热性能,能够在高频工作条件下保持较高的效率和稳定性。
最大漏源电压:500V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:7A
导通电阻:0.6Ω
总功耗:18W
结温范围:-55℃ 至 150℃
EMF107B7474KAHT 具有以下显著特性:
1. 高耐压能力:其最大漏源电压为 500V,适用于高电压环境下的应用。
2. 低导通电阻:在典型的工作条件下,导通电阻仅为 0.6Ω,可有效降低导通损耗。
3. 快速开关特性:具备较低的栅极电荷和输出电荷,有助于实现高频开关操作。
4. 高可靠性:采用 TO-220 封装形式,散热性能优越,能够承受较大的瞬态电流冲击。
5. 宽温度范围:支持 -55℃ 至 150℃ 的结温范围,适合恶劣环境下使用。
EMF107B7474KAHT 主要应用于以下领域:
1. 开关电源:包括 AC/DC 转换器、DC/DC 转换器等。
2. 电机驱动:用于控制步进电机、无刷直流电机等。
3. 逆变器:在光伏逆变器、UPS 不间断电源中作为核心开关元件。
4. 工业自动化:在工业控制系统中用作功率开关或负载控制器。
5. 汽车电子:可用于车载充电器、电动车窗控制等领域。
EMF107B7474KAT
IRFP260N
FDP17N50