类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大栅源电压（Vgs）：20V
　　最大漏极电流（Id）：4.4A（连续）
　　导通电阻（Rds(on)）：15mΩ @ Vgs=10V
　　栅极电荷（Qg）：12nC（典型值）
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：SOP（表面贴装）

EME7315H 采用了先进的沟槽式MOSFET结构，显著降低了导通电阻，从而减少了导通损耗，提高了系统效率。其15mΩ的Rds(on)在Vgs=10V时表现出色，能够有效降低功率损耗。该器件的栅极电荷Qg仅为12nC，有助于减少开关损耗，使其适用于高频开关应用。
　　此外，EME7315H 具有较高的热稳定性，在高电流和高温度环境下仍能保持良好的性能。其SOP封装形式具有较小的体积，便于在紧凑型PCB设计中使用，同时支持自动贴片工艺，提高了生产效率。
　　该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，支持4.5V至20V之间的栅极电压，使其兼容多种驱动电路设计，包括由MCU或专用驱动IC控制的应用场景。

EME7315H 主要应用于电源管理系统中，如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关和电池管理系统。其低导通电阻和高频特性使其特别适合用于需要高效率和小尺寸的便携式电子产品，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑和智能穿戴设备。
　　在电机控制和功率开关应用中，EME7315H 也可作为主开关元件，提供稳定的高电流输出能力。此外，该器件还可用于LED照明驱动电路、工业自动化设备和小型电源适配器等场景。

Si2302DS、IRLML2402、FDMS86101、FDMS86103