EMDC8175TR 时间：2025/9/1 19:57:26 阅读：6

EMDC8175TR 是一款由 Elite Microdevices（EM）推出的双N沟道增强型MOSFET，采用先进的Trench MOSFET技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力。该器件广泛应用于电源管理、负载开关、DC-DC转换器、电池管理系统以及其他需要高效功率控制的场合。EMDC8175TR采用SOP-8封装，适合表面贴装工艺，具备良好的热性能和电气性能，适用于各种便携式电子设备和工业控制应用。

参数

类型：MOSFET（双N沟道增强型）
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：8A（每个通道）
　　导通电阻（Rds(on)）：18mΩ（典型值，Vgs=10V）
　　功耗（Pd）：2.5W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOP-8

特性

EMDC8175TR是一款高性能的双N沟道MOSFET，采用先进的Trench工艺制造，具有非常低的导通电阻，有助于降低导通损耗并提高系统效率。其高电流承载能力使其适用于各种电源管理应用，如DC-DC转换器、同步整流器和负载开关。该器件的栅极驱动电压范围宽，兼容标准逻辑电平控制，便于与MCU或PWM控制器配合使用。
　　此外，EMDC8175TR在SOP-8封装下具备良好的散热性能，能够在高电流条件下稳定工作。其双N沟道结构设计使得在H桥、电机驱动或双向开关应用中具有良好的性能表现。同时，该器件具备较高的耐用性和可靠性，适用于各种消费类电子、工业控制及车载电子系统。
　　EMDC8175TR还具备较低的输入电容（Ciss）和快速开关特性，有助于提高开关速度并减少开关损耗。这使得它在高频开关应用中表现优异，特别适用于同步整流和高效能电源转换系统。其封装形式适合自动化贴片工艺，提升了生产效率和可靠性。

应用

EMDC8175TR广泛应用于各类电源管理系统中，包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）以及电机驱动电路等。其低导通电阻和高电流能力也使其适用于手持设备、笔记本电脑、平板电脑、智能电源插座、LED驱动器以及各类工业控制设备中的功率控制部分。此外，该器件还可用于H桥驱动电路、USB电源开关、电源分配系统以及各种需要高效、小型功率MOSFET的场合。