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EMD5T2R 发布时间 时间:2025/11/8 9:40:02 查看 阅读:10

EMD5T2R是一种电子元器件型号,但根据现有公开资料和技术数据库查询结果,该型号并未明确对应任何主流或标准化的芯片产品。可能是由于型号输入错误、非标准命名、厂家专有型号未公开,或是已被停产/淘汰的早期器件。在常见的半导体制造商如TI(德州仪器)、STMicroelectronics(意法半导体)、Infineon(英飞凌)、ON Semiconductor(安森美)等的产品目录中均未找到与"EMD5T2R"完全匹配的元器件。此外,该名称也不符合常规的命名规则(例如以字母开头表示制造商前缀,后接系列编号和封装信息)。因此,无法确认其具体功能类别(如MOSFET、二极管、IC等)。建议用户重新核对型号拼写,检查是否混淆了相似字符(如0与O、1与I),并确认是否有额外的前缀或后缀信息被遗漏。同时可提供器件上的完整丝印标识、封装形式、应用场景及所在电路板的功能模块,以便进一步识别和分析。

参数

未找到匹配型号的参数信息。

特性

未找到匹配型号的特性信息。
  

应用

未找到匹配型号的应用信息。

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EMD5T2R参数

  • 标准包装8,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
  • 系列-
  • 晶体管类型1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧)47k,4.7k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧)47k,10k
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)68 @ 5mA,5V / 30 @ 10mA,5V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)300mV @ 500µA,10mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)500nA
  • 频率 - 转换250MHz
  • 功率 - 最大150mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOT-563,SOT-666
  • 供应商设备封装EMT6
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称EMD5T2RTR