EMD22T2R 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管,采用 TO-252 封装形式。它广泛应用于开关电源、电机驱动和负载开关等领域。该器件具有较低的导通电阻和较高的开关速度,能够在高频条件下提供高效的性能表现。
这款 MOSFET 属于 N 沟道增强型场效应晶体管,其设计使其在功率转换应用中表现出优异的效率和稳定性。由于具备低栅极电荷特性,EMD22T2R 适合用于高频率 PWM 控制电路,同时其出色的热性能也确保了长期使用的可靠性。
最大漏源电压:30V
连续漏极电流:17A
导通电阻:6.5mΩ
栅极电荷:19nC
总电容:480pF
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
封装形式:TO-252
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 可以有效减少传导损耗,从而提高整体系统效率。
2. 高速开关性能得益于低栅极电荷设计,适用于高频开关应用。
3. 良好的热稳定性允许在极端环境温度下长时间运行。
4. 紧凑的 TO-252 封装节省了 PCB 布局空间,并简化了散热设计。
5. 符合 RoHS 标准,环保且可靠。
1. 开关模式电源 (SMPS) 中的同步整流器。
2. 电机驱动中的功率级开关。
3. 工业自动化设备中的负载切换。
4. 电池管理系统 (BMS) 的保护电路。
5. 各种 DC-DC 转换器模块。
IRLZ44N, FDP5802