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EMD22T2R 发布时间 时间:2025/5/26 18:25:58 查看 阅读:12

EMD22T2R 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管,采用 TO-252 封装形式。它广泛应用于开关电源、电机驱动和负载开关等领域。该器件具有较低的导通电阻和较高的开关速度,能够在高频条件下提供高效的性能表现。
  这款 MOSFET 属于 N 沟道增强型场效应晶体管,其设计使其在功率转换应用中表现出优异的效率和稳定性。由于具备低栅极电荷特性,EMD22T2R 适合用于高频率 PWM 控制电路,同时其出色的热性能也确保了长期使用的可靠性。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:17A
  导通电阻:6.5mΩ
  栅极电荷:19nC
  总电容:480pF
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-252

特性

1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 可以有效减少传导损耗,从而提高整体系统效率。
  2. 高速开关性能得益于低栅极电荷设计,适用于高频开关应用。
  3. 良好的热稳定性允许在极端环境温度下长时间运行。
  4. 紧凑的 TO-252 封装节省了 PCB 布局空间,并简化了散热设计。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且可靠。

应用

1. 开关模式电源 (SMPS) 中的同步整流器。
  2. 电机驱动中的功率级开关。
  3. 工业自动化设备中的负载切换。
  4. 电池管理系统 (BMS) 的保护电路。
  5. 各种 DC-DC 转换器模块。

替代型号

IRLZ44N, FDP5802

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EMD22T2R参数

  • 标准包装8,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
  • 系列-
  • 晶体管类型1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧)4.7k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧)47k
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)80 @ 10mA,5V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)300mV @ 250µA,2.5mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)500nA
  • 频率 - 转换250MHz
  • 功率 - 最大150mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOT-563,SOT-666
  • 供应商设备封装EMT6
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称EMD22T2R-NDEMD22T2RTRQ2730364