时间：2025/12/27 7:16:09
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EMBB5N10Q是一款由安森美（onsemi）推出的高性能MOSFET器件，专为高效率电源转换和功率开关应用设计。该器件采用先进的沟槽技术制造，具备低导通电阻、优良的热性能以及高可靠性，适用于多种工业、消费类及汽车级电源系统。EMBB5N10Q属于N沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），其额定电压为100V，在中等电流负载下可实现极低的导通损耗，提升整体系统能效。该器件封装形式为DPAK（TO-252），具有良好的散热能力，适合在空间受限但需要高效散热的应用场景中使用。EMBB5N10Q广泛用于DC-DC转换器、电机驱动、电源管理模块、逆变器以及电池供电设备中，尤其在要求高开关频率和低电磁干扰（EMI）的设计中表现出色。
作为一款车规级（AEC-Q101认证）产品，EMBB5N10Q具备优异的抗应力能力和长期稳定性，能够在恶劣的环境条件下可靠运行，如高温、高湿或振动环境中。其栅极电荷低，有利于减少驱动损耗并提高开关速度，从而进一步优化系统的动态响应性能。此外，该器件还具备雪崩能量耐受能力，增强了在瞬态过压情况下的鲁棒性，提升了系统的安全裕度。
型号：EMBB5N10Q
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：100 V
连续漏极电流（Id）：5 A
脉冲漏极电流（Idm）：20 A
导通电阻（Rds(on)）：0.48 Ω @ Vgs=10V, Id=2.5A
导通电阻（Rds(on)）：0.6 Ω @ Vgs=4.5V, Id=2.5A
栅源阈值电压（Vgs(th)）：2.0 V ~ 3.0 V
栅极电荷（Qg）：12 nC @ Vds=80V, Id=5A
输入电容（Ciss）：320 pF @ Vds=25V
反向恢复时间（trr）：25 ns
最大工作结温（Tj）：175 °C
封装：DPAK (TO-252)
符合标准：AEC-Q101, RoHS
EMBB5N10Q的核心特性之一是其基于先进沟槽结构的低导通电阻设计，使其在100V等级的N沟道MOSFET中具备出色的导通性能。该器件在Vgs=10V时的典型Rds(on)仅为0.48Ω，显著降低了在中等电流应用中的功率损耗，提高了电源系统的整体效率。这一特性特别适用于高频开关电源（如同步降压转换器）中作为主开关或整流开关使用。由于其较低的Rds(on)，即使在持续负载条件下也能保持较小的温升，有助于简化热管理设计，延长系统寿命。
另一个关键特性是其出色的开关性能。EMBB5N10Q具有较低的栅极电荷（Qg=12nC）和输入电容（Ciss=320pF），这使得它在高频开关应用中能够快速开启和关闭，减少开关过渡时间，从而降低开关损耗。这对于提升DC-DC变换器的工作频率、减小磁性元件体积以及提高功率密度至关重要。同时，低Qg也意味着对驱动电路的要求更低，可以搭配简单的驱动IC甚至直接由控制器输出驱动，节省外围元件成本。
该器件通过了AEC-Q101车规认证，表明其在极端温度循环、机械振动、湿度偏压测试等严苛条件下的可靠性经过验证，适用于车载电子系统，如车载充电机（OBC）、DC-DC转换模块、车身控制模块等。其最高工作结温可达175°C，确保在高温环境下仍能稳定运行。此外，EMBB5N10Q具备一定的雪崩耐量，能够在意外电压冲击（如感性负载关断）时承受一定的能量而不损坏，提升了系统的鲁棒性和安全性。其DPAK封装不仅便于自动化贴装，而且可通过焊盘有效导热至PCB，实现良好的热耗散能力。
EMBB5N10Q广泛应用于各类中等功率电源系统中，尤其是在对效率、可靠性和空间布局有较高要求的场合。典型应用场景包括车载电子设备中的DC-DC降压转换器，用于将12V或24V车载电源转换为微控制器、传感器或其他低压器件所需的5V或3.3V电源。其车规级认证使其成为汽车辅助系统（如ADAS、照明控制、电动门窗）的理想选择。
在工业领域，EMBB5N10Q常用于电机驱动电路中的H桥或半桥拓扑，作为低端或高端开关元件，控制直流电机或步进电机的启停与方向。其快速开关特性和低导通损耗有助于提升电机控制精度并减少发热。此外，该器件也适用于不间断电源（UPS）、太阳能微型逆变器、LED驱动电源以及智能电表等电力电子设备中，承担主开关或同步整流功能。
在消费类电子产品中，EMBB5N10Q可用于笔记本电脑适配器、USB-PD电源模块、无线充电发射端等高能效电源设计。其DPAK封装易于手工焊接和回流焊，适合中小批量生产。同时，在电池管理系统（BMS）中，该器件可作为充放电通路的开关，利用其低Rds(on)减少能量损耗，延长电池续航时间。其坚固的结构和宽温度范围适应性也使其适用于户外或工业环境下的嵌入式控制系统。
FQP5N10, STP5NK10ZFP, NTD5804N-D, IRF540NPBF
