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EMB61T2R 发布时间 时间:2025/12/25 13:55:30 查看 阅读:13

EMB61T2R是一款由东软载波(NORTECH)推出的嵌入式微控制器单元(MCU),主要面向智能家居、工业控制及物联网终端设备等应用领域。该芯片基于32位ARM Cortex-M0+内核设计,具备高性能、低功耗和高集成度的特点,适用于对实时性与能效有较高要求的嵌入式系统。EMB61T2R集成了丰富的外设接口和通信模块,支持多种工作模式以适应不同的应用场景需求。其内置的闪存和SRAM为程序运行和数据处理提供了充足的存储空间,同时具备良好的电磁兼容性和稳定性,可在较宽的温度范围内可靠运行。该芯片采用小型化封装,便于在紧凑型电子产品中布局布线,有助于缩小整机尺寸并降低系统成本。此外,EMB61T2R支持在线调试与编程功能,配合东软载波提供的开发工具链和软件库,可显著提升开发效率,缩短产品上市周期。整体而言,EMB61T2R是一款兼顾性能、功耗与集成度的通用型MCU,适合用于智能照明、传感器节点、电机控制以及人机交互界面等多种嵌入式解决方案中。

参数

核心架构:ARM Cortex-M0+
  主频:最高48MHz
  Flash容量:64KB
  SRAM容量:8KB
  工作电压:1.8V ~ 5.5V
  工作温度范围:-40°C ~ +85°C
  封装形式:TQFP-48
  GPIO数量:最多42个
  定时器:3个16位定时器,1个系统嘀嗒定时器
  通信接口:2个UART,1个SPI,1个I2C
  ADC通道:12位ADC,最多16通道
  看门狗:硬件看门狗
  调试接口:SWD

特性

EMB61T2R的内核基于ARM Cortex-M0+架构,具备高效的指令执行能力与较低的功耗表现。该内核采用三级流水线设计,能够在每个时钟周期内完成一条Thumb指令的取指与译码操作,从而实现接近1.8 DMIPS/MHz的运算性能。在最高48MHz主频下,可提供约86.4 DMIPS的处理能力,足以应对大多数中低端实时控制任务。芯片内部集成了64KB的嵌入式Flash存储器,用于存放用户程序代码,并支持多次擦写与分区保护功能,确保固件的安全性与可靠性。同时配备8KB的SRAM,可用于变量存储、堆栈分配及临时数据缓存,在资源受限的应用中仍能保证基本的运行需求。为了提升系统的响应速度,Flash存储器配备了预取缓冲机制,有效减少了因取指等待带来的性能损失。
  该芯片支持宽电压供电范围(1.8V~5.5V),使其能够兼容多种电源架构,包括锂电池供电、USB供电以及工业级直流电源系统。这一特性特别适用于需要电池供电或存在电压波动的应用场景,如便携式设备或远程传感节点。其工作温度范围覆盖-40°C至+85°C,满足工业级环境下的稳定运行要求,增强了产品的环境适应能力。EMB61T2R还集成了多种低功耗模式,包括睡眠、深度睡眠和待机模式,通过动态调节时钟频率与关闭非必要模块来延长电池寿命。例如,在深度睡眠模式下,仅保留RTC和部分唤醒源工作,典型功耗可低至几微安级别,非常适合需要长期待机的物联网终端设备。
  外设方面,EMB61T2R提供了丰富的接口资源。其包含两个通用异步收发器(UART),可用于与其他MCU、Wi-Fi模组或PC进行串行通信;一个SPI接口支持主/从模式,适用于连接外部Flash、显示屏或传感器;I2C接口则可用于挂载EEPROM、温度传感器或其他低速外设。片上集成的12位逐次逼近型ADC最多支持16个输入通道,采样速率可达1MSPS,具备良好的线性度与精度,适用于模拟信号采集类应用,如电压监测、光强检测或电位器读取。此外,多个通用定时器可用于PWM生成、输入捕获或输出比较功能,广泛应用于电机调速、LED调光或时间测量等场景。芯片还内置硬件看门狗定时器,可在程序跑飞或死锁时自动复位系统,提升运行可靠性。

应用

EMB61T2R广泛应用于智能家居控制系统,如智能开关、智能插座、窗帘控制器和温控面板等设备中,利用其多路GPIO和通信接口实现对家用电器的集中管理与远程控制。在工业自动化领域,该芯片可用于小型PLC模块、传感器信号采集器或继电器控制板,凭借其高抗干扰能力和宽温特性保障系统在复杂电磁环境中的稳定运行。此外,由于其低功耗特性和丰富的外设资源,也常被用于各类物联网终端节点,如环境监测终端、无线报警器和资产追踪标签,配合无线通信模组构建LPWAN或局域网数据上传系统。在消费类电子产品中,EMB61T2R还可作为主控芯片用于电子锁、健康手环、小家电控制板等人机交互设备,提供稳定的控制逻辑与用户界面驱动能力。

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EMB61T2R参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格8,000 : ¥0.63708卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 晶体管类型2 个 PNP 预偏压式(双)
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值)50mA
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)10 千欧
  • 电阻器 - 发射极 (R2)10 千欧
  • 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)35 @ 5mA,10V
  • 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降(最大值)150mV @ 500μA,5mA
  • 电流 - 集电极截止(最大值)500nA
  • 频率 - 跃迁250MHz
  • 功率 - 最大值150mW
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳SOT-563,SOT-666
  • 供应商器件封装EMT6